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MX29F800TTC-12 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MX29F800TTC-12
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内容描述: 8M - BIT [ 1Mx8 / 512Kx16 ] CMOS FLASH MEMORY [8M-BIT [1Mx8/512Kx16] CMOS FLASH MEMORY]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 42 页 / 693 K
品牌: MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
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初步
MX29F800T/B
8M - BIT [ 1Mx8 / 512Kx16 ] CMOS FLASH MEMORY
特点
• 1,048,576 ×8 / 524,288 ×16切换
•单电源工作
- 仅5.0V的读取,擦除和编程操作
手术
•快速存取时间70 /90 / 120ns的
•低功耗
- 50毫安最大工作电流
- 0.2uA的典型待机电流
•命令寄存器架构
- 字节/字编程( 7us / 12us典型值)
- 扇区擦除(扇区结构16K - Bytex1 ,
8K - Bytex2 , 32K - Bytex1和64K字节X15 )
•自动擦除(芯片&部门)和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合
擦除挂起功能。
- 自动编程,并在指定的验证数据
地址
•擦除暂停/删除恢复
- 挂起扇区擦除操作来读取数据,
或程序的数据,另一个扇区是不存在
擦除,然后恢复擦除。
•状态回复
- 数据查询和放大器;对检测程序的触发位和
擦除操作完成。
就绪/忙脚( RY / BY )
- 提供了检测程序的硬件方法
或擦除操作完成。
扇区保护
- 部门保护/取消保护芯片的5V / 12V系统。
- 硬件的方法来禁用的任意组合
从编程或擦除操作部门
- Tempory机构撤消允许代码修改
先前锁定行业。
100000最小擦除/编程周期
闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
引导代码部门架构
- T =热门引导扇区
- B =底部引导扇区
低VCC写入禁止等于或小于3.2V
套餐类型:
- 44引脚SOP
- 48引脚TSOP
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪光
概述
该MX29F800T / B为8兆比特的闪存或 -
ganized为1M字节的8位或16位的512K字。
旺宏的快闪记忆体提供了最具成本效益和
可靠的读/写的非易失性随机存取存储器。
该MX29F800T / B封装采用44引脚SOP ,48引脚
TSOP 。它被设计成可重新编程和擦除
在系统或标准EPROM编程器。
标准MX29F800T / B提供了存取时间快
作为为70ns ,高速microproces-允许操作
感器无需等待。为了消除总线争用,
在MX29F800T / B已单独的芯片使能( CE)和
输出使能( OE )控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能, EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29F800T / B使用命令寄存器来管理这个
功能。命令寄存器允许100 %
TTL电平控制输入和固定电源电平
擦除和编程过程中同时保持马克西
妈妈EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10万次擦除和编程。该MXIC
存储单元的设计优化了擦除和编程
机制。先进此外,组合
隧道氧化处理,且内部电场
擦除和编程操作产生可靠的赛扬
保鲜。该MX29F800T / B采用的是5.0V ± 10 % VCC支持
帘布层进行高可靠性擦除和经销商亲
克/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁亲
tection证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
P / N : PM0578
REV 。 1.7 ,七月24 , 2001年
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