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MX29F016MC-90 参数 Datasheet PDF下载

MX29F016MC-90图片预览
型号: MX29F016MC-90
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内容描述: 16M - BIT [2M ×8 ] CMOS EQUAL部门FLASH MEMORY [16M-BIT [2M X 8] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 37 页 / 868 K
品牌: MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
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MX29F016
16M - BIT [2M ×8 ] CMOS EQUAL部门FLASH MEMORY
特点
•单电源5V操作进行读取,擦除和
节目
•快速存取时间: 90 / 120ns的
•低功耗
- 30毫安最大工作电流
- 0.2uA的典型待机电流
•命令寄存器架构
- 字节编程( 7us典型值)
- 扇区擦除: 32有64K字节的每一个平等的部门
•自动擦除(芯片&部门)和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合
与擦除挂起功能。
- 自动编程,并在指定的验证数据
地址
•擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,
或程序的数据,另一个扇区是不存在
擦除,然后恢复擦除。
•状态回复
- 数据查询和放大器;对检测程序的触发位
和擦除周期结束。
•集团部门保护/取消保护的5V / 12V系统。
•集团扇区保护
- 硬件保障部门为每个/解除方法
这组由两个相邻扇区的
- 临时组部门撤消允许代码
改变先前锁定行业
• 100000最小擦除/编程周期
•闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
•低VCC写入禁止等于或小于3.2V
•包装类型:
- 40引脚TSOP , 44引脚SOP ,48引脚TSOP
•符合JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪光
概述
该MX29F016是组织了16兆比特闪存
如2M字节的8位。旺宏的快闪记忆体提供
最有成本效益和可靠的读/写的非易失性
随机存取存储器。该MX29F016封装在
40引脚TSOP或者44引脚SOP ,48引脚TSOP 。它被设计
进行再编程和擦除在系统或标准
EPROM编程器。
该标准MX29F016提供存取时间快
为90ns ,高速微处理器,允许操作
无需等待。为了消除总线冲突,
MX29F016有独立的芯片使能( CE )和输出
启用( OE )控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能, EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29F016使用命令寄存器来管理这个
功能。命令寄存器允许100 %
TTL电平控制输入和固定电源电平
擦除和编程过程中,在保持
最大的EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器
内容即使经过10万次擦除和编程
周期。该MXIC单元的设计,以优化
擦除和编程机制。此外,该
先进的隧道氧化处理组合
和低的内部电场为擦除和
编程操作产生可靠的自行车。
该MX29F016采用5.0V ± 10 % VCC供应
执行高可靠性擦除和经销商
编程/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的是
实现了与旺宏的专利非外延工艺。
闭锁保护证明了应力达
100毫安的地址和数据引脚从-1V到
VCC + 1V 。
P / N : PM0590
REV 。 1.4 ,十一月21 , 2002年
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