MX29LV64xM H / L
（ CE ＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29LV64xM H / L使用命令寄存器管理
此功能。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10万次擦除和编程。该MXIC
存储单元的设计优化了擦除和编程
机制。先进此外，组合
隧道氧化处理，且内部电场
擦除和编程操作产生可靠
骑自行车。该MX29LV64xM H / L采用的是2.7V至3.6V
VCC电源进行高可靠性和擦除
自动编程/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁亲
tection证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
电擦除的fication内部控制之内
该设备。
自动扇区擦除
该MX29LV64xM H / L为界（S ）可擦除使用MXIC的
自动扇区擦除算法。扇区擦除模式允许
该阵列的扇区来在一个擦除周期被擦除。该
自动扇区擦除算法自动程序
指定的扇区的前向电擦除。该时序
荷兰国际集团和验证电擦除的控制接口
应受该装置内。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
使用标写命令到命令寄存器
准微处理器写时序。该设备将自动
matically预编程和验证整个阵列。然后
该装置自动倍擦除脉冲宽度，
提供了擦除验证，并进行计数的数目
的序列。状态位次连续之间切换
略去读周期提供反馈给用户作为对
编程操作的状态。
寄存器的内容作为输入到内部语句
机器控制的擦除和编程税务局局长
cuitry 。在写周期中，指令寄存器间
应受锁存器所需的编程地址和数据
明和擦除操作。在系统写周期
地址被锁存的下降沿，并且数据是
锁存WE＃上升沿。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验，生产质量的最高水平，可靠
能力，和成本效益。该MX29LV64xM H / L
电擦除同时使用福勒的所有位
Nordheim隧穿。该字节由美中编程
荷兰国际集团的热elec-的EPROM编程机制
tron的注入。
在一个程序周期中，状态机将控制
该程序序列和指令寄存器不会
响应任何命令集。在一个扇区擦除
周期中，命令寄存器将只响应擦除
暂停命令。擦除暂停结束后，
该设备停留在读取模式。状态机之后，
已经完成了它的任务，它将使命令寄存器
之三，以应对其完整的命令集。
自动编程
该MX29LV64xM H / L为字节/字/页编程
采用自动编程算法。中的自动
MATIC编程算法使得外部系
统不需要有时间按顺序也不验证
数据编程。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求用户
只写程序设置命令（其中包括2个非
锁定写周期和A0H ）和程序指令（亲
克数据和地址）。设备会自动倍
编程脉冲的宽度，提供了veri-程序
fication ，并计算序列的数量。一个状态
类似数据＃轮询和状态位切换BE-位
吐温连续读周期，提供反馈
用户以编程操作的状态。
自动芯片擦除
整个芯片采用50毫秒的脉冲擦除批量擦除
根据旺宏的自动芯片擦除算法。该
自动擦除算法自动方案
整个阵列之前，电擦除。定时和veri-
P / N ： PM1093
REV 。 1.1 ，八月11，2005
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MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
