先进的信息
MX29L1611G / MX29L1611 *
16M - BIT [ 2M ×8 / 1M ×16 ]的CMOS
单电压闪存EEPROM
特点
• 3.3V
±
写和读操作10 ％
• 11V Vpp的擦除/编程操作
•耐久性： 100次
•快速随机访问时间：为90ns / 100ns的/ 120ns的
•快速页面访问时间： 30ns的（仅适用于29L1611PC - 90 /
10/12)
•扇区擦除架构
- 每个64K字节等于32部门
- 扇区擦除时间： 200ms的典型
•自动擦除和自动编程算法
- 自动擦除扇区或任何一个
整个芯片
- 自动程序，并在指定的验证数据
地址
•状态寄存器功能的检测程序或
擦除周期结束
•低VCC写入禁止等于或小于1.8V
•软件数据保护
•页编程操作
- 内部地址和数据锁存器为每64个字
页面
- 页编程时间：5ms典型
•低功耗
- 50毫安有功电流
- 的20uA静态电流
•两个独立的受保护的行业
•包装类型
- 42引脚塑料DIP
*对于页式只读
概述
该MX29L1611G是16兆比特的闪存
作为组织或者1M wordx16或2M bytex8 。该
MX29L1611G包括32个扇区为64KB （ 65,536字节
或32,768字） 。旺宏的快闪记忆体提供最
具有成本效益和可靠的读/写非易失性随机
存取存储器。该MX29L1611G封装在42
引脚PDIP 。
该标准MX29L1611G提供存取时间快
为100ns内，高速允许操作
微处理器无需等待。为了消除总线争用，
该MX29L1611G有独立的芯片使能CE和，
输出使能（OE ） 。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
与电擦除和编程。该
MX29L1611G使用命令寄存器来管理这个
功能。
MX29L1611G确实需要高输入电压为
编程。命令需要11V的输入来确定
该装置的操作。读出数据的
装置类似于从一个EPROM读取。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过100次循环。该MXIC的单元的设计
优化了擦除和编程机制。在
此外，先进的隧道氧化物的组合
处理和低内部电场进行擦除和
编程操作产生可靠的自行车。该
MX29L1611G使用11V Vpp的供给来执行
自动清除和自动编程算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁
保护被证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
P / N ： PM0604
REV 。 0.8 ，一月24 ， 2002年
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MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
