初步
MX29L1611
16M - BIT [ 2M ×8 / 1M ×16 ]的CMOS
单电压PAGEMODE FLASH EEPROM
特点
•可调节电压范围3.0〜 3.6V的写入，擦除和
read(MX29L1611-75/10/12)
•快速随机存取/页模式使用时间： 75 /
为30ns ， 100 / 30ns的， 120 / 30ns的。
•全电压范围2.7〜 3.6V的写入，擦除和读取
(MX29L1611-90)
•快速随机存取/页模式使用时间： 90 /
35ns
- 耐力： 10,000次
•页面的访问深度： 16字节/ 8个字，网页地址
A0, A1, A2
•扇区擦除架构
- 每个64K字节等于32部门
- 扇区擦除时间： 200ms的典型
•自动擦除和自动编程算法
- 自动擦除扇区或任何一个
整个芯片擦除挂起功能
- 自动程序，并在指定的验证数据
地址
状态寄存器功能的检测程序或
擦除周期结束
低VCC写入禁止< 1.8V
软件和硬件的数据保护
页编程操作
- 内部地址和数据锁存器为128字节/ 64
每页单词
- 页编程时间：5ms典型
低功耗
- 50毫安有功电流
- 的20uA静态电流
两个独立的受保护的行业
行业标准的表面贴装封装
- 44铅SOP ， TSOP 48 （I）
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概述
该MX29L1611是16兆比特pagemode闪光
内存作为组织或者1M wordx16或2M bytex8 。
该MX29L1611包括32个扇区为64KB （ 65,536
字节或32,768字） 。旺宏的闪存报价
最具成本效益和可靠的读/写非
易失性随机存取存储器和快速页模式
访问。该MX29L1611封装的44引脚SOP和
48 TSOP （Ⅰ） 。它被设计成可重新编程和
删除在系统或标准EPROM编程器。
该标准MX29L1611提供存取时间快
为100ns ，高速微处理器允许操作
无需等待。为了消除总线冲突， MX29L1611
有独立的芯片使能CE ，输出使能（ OE ）和
写使能（WE ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29L1611使用命令寄存器来管理这个
功能。
为了让简单的系统内可重编程中，
MX29L1611不需要高的输入电压为
编程。三伏特，只有命令确定
该装置的操作。读出数据的
装置类似于从一个EPROM读取。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10,000次。该MXIC的电池设计
优化了擦除和编程机制。在
此外，先进的隧道氧化物的组合
处理和低内部电场进行擦除和
编程操作产生可靠的自行车。该
MX29L1611采用的是2.7V 〜 3.6V的VCC电源进行
自动擦除和自动程序算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁
保护被证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
P / N ： PM0511
REV 。 2.4 ，十一月06 ， 2001年
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MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
