先进的信息
MX29L3211
32M - BIT [ 4M ×8 / 2M ×16 ]的CMOS
单电压PAGEMODE FLASH EEPROM
特点
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3.3V
±
10 ％的写入，擦除和读取
耐力： 10,000次
快速随机访问时间： 100ns的/ 120ns的
快速pagemode访问时间： 50ns的
页面的访问深度： 16字节/ 8个字
扇区擦除架构
- 每64K字32等于行业
- 扇区擦除时间： 200ms的典型
•自动擦除和自动编程算法
- 自动擦除扇区或任何一个
整个芯片擦除挂起功能
- 自动程序，并在指定的验证数据
地址
•状态寄存器功能的检测程序或
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擦除周期结束
低VCC写入禁止等于或小于1.8V
软件数据保护
页编程操作
- 内部地址和数据锁存器256字节/ 128
每页单词
- 页编程时间：5ms典型
低功耗
- 50毫安有功电流
- 的20uA静态电流
两个独立的受保护的行业
行业标准的表面贴装封装
- 44引脚SOP （ 500mil ）
- 48 TSOP （ I）
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概述
该MX29L3211是32兆比特pagemode闪光
内存作为组织或者4M字×8或2M字节×16 。
该MX29L3211包括32个部门的64K字。
旺宏的快闪记忆体提供了最具成本效益
和可靠的读/写非易失性随机存取
内存和快速的网页模式访问。该MX29L3211
封装44引脚SOP和48引脚TSOP 。它被设计
进行再编程和擦除在系统或在标
EPROM编程器。
该标准MX29L3211提供存取时间快
为100ns ，高速微处理器允许操作
无需等待。为了消除总线冲突， MX29L3211
有独立的芯片使能CE ，输出使能（ OE ）和
写使能（WE ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29L3211使用命令寄存器来管理这个
功能。
为了让简单的系统内可重编程中，
MX29L3211不需要高的输入电压为
编程。三伏特，只有命令确定
该装置的操作。读出数据的
装置类似于从一个EPROM读取。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10,000次。该MXIC的电池设计
优化了擦除和编程机制。在
此外，先进的隧道氧化物的组合
处理和低内部电场进行擦除和
编程操作产生可靠的自行车。该
MX29L3211使用3.3V
±
10 ％的VCC电源进行
自动擦除和自动程序算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁
保护被证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
P / N ： PM0641
REV 。 0.3 ，十一月06 ， 2001年
1
MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
