超前信息
MX29LV040
4M- BIT [ 512K ×8 ] CMOS单电压
3V只相当于行业FLASH MEMORY
特点
•扩展单 - 电源电压范围2.7V至3.6V
• 524,288 ×8只
•单电源工作
- 仅3.0V的读取，擦除和编程操作
手术
•快速存取时间： 55R / 70 /为90ns
•低功耗
- 20毫安最大工作电流
- 0.2uA的典型待机电流
•命令寄存器架构
- 每个64K字节等于8部门
- 字节编程（ 9US典型值）
- 扇区擦除（扇区结构64K字节X8 ）
•自动擦除（芯片&部门）和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合
擦除挂起功能。
- 自动编程，并在指定的验证数据
地址
•擦除暂停/删除恢复
- 挂起扇区擦除操作来读取数据，
或程序的数据，即不被擦除任何部门，
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然后恢复擦除。
状态回复
- 数据查询和放大器;对检测程序的触发位和
擦除操作完成。
扇区保护
- 硬件的方法来禁用的任意组合
从编程或擦除操作部门
- 任何部门的结合可以用擦除功能
暂停/恢复功能。
- Tempoary机构撤消允许代码修改
先前锁定行业。
100000最小擦除/编程周期
闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
低VCC写入禁止等于或小于2.3V
套餐类型：
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪光
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概述
该MX29LV040是4兆比特闪存奥尔加
认列如512K字节的8位。旺宏的快闪记忆体
提供最具成本效益和可靠的读/写非
易失性随机存取存储器。该MX29LV040是
封装采用32引脚PLCC和TSOP 。它被设计成
重新编程和擦除系统或标准
EPROM编程器。
该标准MX29LV040提供存取时间快
55ns ，高速微处理器允许操作
无需等待。为了消除总线冲突，
MX29LV040有独立的芯片使能（ CE ）和输出
启用（ OE ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29LV040使用命令寄存器来管理这个
功能。命令寄存器允许100 ％
TTL电平控制输入和固定电源电平
擦除和编程过程中同时保持马克西
妈妈EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10万次擦除和编程。该MXIC
存储单元的设计优化了擦除和编程
机制。先进此外，组合
隧道氧化处理，且内部电场
擦除和编程操作产生可靠的赛扬
保鲜。该MX29LV040采用2.7V 〜 3.6V的VCC电源
执行高可靠性擦除和自动程序/
擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁亲
tection证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
P / N ： PM0722
REV 。 0.7 ，七月12 ， 2001年
1
MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
