MX29LV040
要求进行读取阵列
数据
从输出读阵列数据，系统必须
驱动CE和OE引脚VIL 。 CE是功率控制
和选择器件。 OE为输出控制和大门
数组数据到输出引脚。我们应保持在VIH 。
内部状态机设置为读取阵列数据
当设备加电时，或者经过一个硬件复位。这
确保了存储器客户服务联系的无杂散变更
在电源转换过程中发生。没有命令
必要在该模式下，以获得阵列的数据。标准
微处理器读取主张上的有效地址周期
该器件地址输入生产设备上的有效数据
数据输出。该器件保持启用状态进行读访问
直到命令寄存器的内容被改变。
指的是自选模式，并自动选择命令
有关更多信息，序列部分。
ICC2在DC特性表代表
有功电流规格为写入模式。该"AC
Characteristics"部分包含时序规格
表和时序图，用于写操作。
待机模式
当sysytem未读取或写入到设备
副，它可以将器件置于待机模式。在这
模式下，电流消耗大大减少，并且
输出被置于高阻抗状态，不知疲倦
下垂的OE输入。
该器件进入CMOS待机模式时，
CE引脚既保持在VCC ± 0.3V 。 （注意，这是一个
更多的限制电压范围比VIH ）。如果CE保持在
VIH，但不能在VCC ±0.3V ，该设备将在
待机模式中，但是待机当期的会更大。
该设备要求的标准访问时间（TCE ），用于读出
访问时，该设备在任一这些备用的
模式， ITIS准备读取数据之前。
如果设备被擦除或编程过程中取消选择
明，该器件消耗的有功电流，直到操作
就完成了。
ICC 3在DC Characteristicstable表示
待机电流规格。
写命令/命令
序列
编程数据到设备或擦除的存储器扇区
，在sysytem必须驱动WE和CE为VIL和OE为
VIH 。
该器件具有一个解锁绕道方式，以利
更快速的编程。一旦设备进入解锁
旁路模式下，只有两个写周期都需要
编程一个字节，而不是四个。该"byte计划
命令Sequence"部分有细节
同时使用标准的编程数据到设备和
解锁绕道命令序列。
擦除操作可以擦除一个扇区，多个部门
或整个设备。表指示的地址空间
每个部门占用。一个"sector address"由
所需的唯一选择一个扇区的地址位。
该"Writing特定的地址和数据的命令或
序列插入命令寄存器启动装置
操作。表3定义了有效的寄存器命令
序列。写入不正确的地址和数据值或
写他们在不恰当顺序重置设备
读取阵列data."section对擦除细节
扇区或整个芯片，或暂停/恢复擦除
操作。
系统后写自选命令
序，器件进入自动选择模式。该
然后，系统可以从内部看自选码
reqister （这是分开的存储器阵列）上
Q7 - Q0 。标准读周期时序适用于这种模式。
P / N ： PM0722
输出禁用
以在逻辑高电平的参考输入（ VIH）时，输出从
该设备被禁用。这将导致输出管脚
是在高阻抗状态。
读/复位命令
通过写入的启动的读或复位操作
读/复位命令序列进入命令稳压
存器。微处理器读周期获取数组数据。
该设备仍然启用了读，直到命令
寄存器的内容被改变。
如果程序出现故障或擦除失败发生， F0H的写操作
重置设备中止操作。一个有效的COM
命令必须被写入到将设备中的
理想状态。
REV 。 0.7 ，七月12 ， 2001年
8
MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
