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MX29LV160BT/BB
16M - BIT [ 2Mx8 / 1Mx16 ] CMOS单电压
3V ONLY FLASH MEMORY
特点
•扩展单 - 电源电压范围2.7V至3.6V
• 2,097,152 ×8 / 1048576 ×16切换
•单电源工作
- 仅3.0V的读取，擦除和编程操作
手术
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与MX29LV160A设备完全兼容
•快速存取时间： 70 /为90ns
•低功耗
- 30毫安最大工作电流
- 0.2uA的典型待机电流
•命令寄存器架构
- 字节/字编程（ 9US / 11us典型值）
- 扇区擦除（扇区结构16K - Bytex1 ，
8K - Bytex2 ， 32K - Bytex1和64K字节X31 ）
•自动擦除（芯片&部门）和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合
擦除挂起功能。
- 自动编程，并在指定的验证数据
地址
•擦除暂停/删除恢复
- 挂起扇区擦除操作来读取数据，
或程序的数据，即不被擦除任何部门，
然后恢复擦除。
•状态回复
- 数据查询和放大器;对检测程序的触发位和
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擦除操作完成。
就绪/忙脚（ RY / BY ）
- 提供了检测程序的硬件方法或
擦除操作完成。
扇区保护
- 硬件的方法来禁用的任意组合
从编程或擦除操作部门
- 临时机构撤消允许代码修改
先前锁定行业。
CFI （通用闪存接口）兼容
- 闪存器件参数存储在设备上，并
提供主机系统访问
100000最小擦除/编程周期
闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
BOOT扇区架构
- T =热门引导扇区
- B =底部引导扇区
低VCC写入禁止等于或小于1.4V
套餐类型：
- 44引脚SOP
- 48引脚TSOP
- 48球CSP
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪光
10年的数据保留
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概述
该MX29LV160BT / BB是16兆比特闪存
组织成8位2M字节或16位的1M字。
旺宏的快闪记忆体提供了最具成本效益
和可靠的读/写非易失性随机存取
内存。该MX29LV160BT / BB封装采用44引脚
SOP ， 48引脚TSOP和48球CSP 。它被设计成
重新编程和擦除系统或标准
EPROM编程器。
标准MX29LV160BT / BB提供存取时间为
高速微处理器的速度是70ns的，让操作
处理机无需等待。为了消除总线conten-
化，在MX29LV160BT / BB有独立的芯片使能
（ CE）和输出使能（ OE ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29LV160BT / BB使用命令寄存器用以管理
年龄的增长这种功能。命令寄存器允许
100％的TTL电平的控制输入和固定电源
在保持的擦除和编程过程中的水平
最大的EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10万次擦除和编程。该MXIC
存储单元的设计优化了擦除和编程
机制。先进此外，组合
隧道氧化处理，且内部电场
擦除和编程操作产生可靠的赛扬
保鲜。该MX29LV160BT / BB使用2.7V 〜 3.6V的VCC
提供给执行高可靠性擦除和经销商
编程/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁亲
tection证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
P / N ： PM1041
REV 。 1.2 ，七月01 ，2004
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MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
