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MX29LV160CTMC-90G 参数 Datasheet PDF下载

MX29LV160CTMC-90G图片预览
型号: MX29LV160CTMC-90G
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内容描述: 16M - BIT [ 2Mx8 / 1Mx16 ] CMOS单电压3V仅限于Flash存储器 [16M-BIT [2Mx8/1Mx16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY]
分类和应用: 存储
文件页数/大小: 66 页 / 923 K
品牌: MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
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MX29LV160C T / B
对于读阵列数据要求
从输出读阵列数据,系统必须
驱动CE #和OE #引脚VIL 。 CE#为电源
控制和选择器件。 OE#为输出控制
与门阵列的数据输出管脚。 WE#应该重新
主要的VIH 。
内部状态机设置为读取阵列数据
当设备加电时,或者经过一个硬件复位。这
确保了存储器CON-的无杂散变更
电源转换过程中出现的帐篷。没有命令
必要在该模式下,以获得阵列的数据。标准
微处理器读取周期的断言有效地址
在设备上的地址输入端上产生的有效数据
设备数据输出。该装置仍处于启用状态的读
访问,直到命令寄存器的内容被改变。
Characteristics"部分包含时序规格
表和时序图,用于写操作。
待机模式
当使用CE #和RESET #两个引脚,该装置
进入CMOS备在Vcc举行两个引脚
±
0.3V.
如果CE#和RESET #保持在VIH ,但不是在
VCC范围
±
0.3V时,该装置将仍然处于待机
模式,但待机电流会较大。在汽车
算法操作中, Vcc的有功电流( ICC2 )是必需
甚至,CE# = "H" ,直到操作完成。该
设备可以读取与来自标准的访问时间(TCE)
这些待机模式或者之前就准备好读
数据。
输出禁用
写命令/命令序列
编程数据到设备或擦除扇区
内存,系统必须驱动WE#和CE #为VIL ,
和OE #为VIH 。
擦除操作可以擦除一个扇区,多节
器,或整个设备。表1和表2表示的
每个扇区占据的地址空间。一个"sector AD-
dress"由需要以唯一的地址位
选择一个扇区。写作的具体地址和数据
命令或序列到命令寄存器ini-
tiates设备的操作。表5规定的有效寄存器
器命令序列。书写不正确的地址和
数据值或将它们写在不当序列
设备重置读取阵列数据。第DE-有
尾巴擦除扇区或整个芯片或中止反应
荷兰国际集团/恢复擦除操作。
系统后写"read硅ID"和"sector
保护verify"命令序列,器件进入
在"read硅ID"和"sector保护verify"模式。
然后,系统可以读取"read硅ID"和"sector
保护verify"代码从内部寄存器(这是
从存储器阵列)上Q7 - Q0分离。标准
读周期时序适用于这种模式。参考"read
硅ID"和"sector保护verify"模式和"read
硅ID"和"sector保护verify"命令硒
quence节以获取更多信息。
ICC2在DC特性表代表了AC-
略去电流规格为写入模式。该"AC
与处于逻辑高电平的OE#输入( VIH)时,输出
从设备被禁用。这将导致输出
引脚为高阻抗状态。
RESET#操作
在RESET #引脚提供了复位 - 硬件方法
婷设备读取阵列数据。当RESET #
引脚被驱动为低的至少一个周期tRP的,该装置的
立即终止正在进行的任何操作,
所有三态输出引脚,并忽略所有的读/写的COM
mands为RESET#脉冲的持续时间。该装置
也复位内部状态机读取阵列
数据。被中断的操作应该是重
一旦启动该设备已准备好接受另一个的COM
命令序列,以保证数据的完整性。
电流减小为RESET#脉冲的持续时间。
当RESET #保持在VSS ± 0.3V ,该器件消耗
CMOS待机电流( ICC4 ) 。如果RESET #保持在VIL
但是不能在VSS ± 0.3V ,待机电流将
更大的。
在RESET #引脚可以连接到系统复位电路。
系统复位将也重设闪存,
使系统能够读取从引导固件
闪速存储器。
如果RESET #是在一个程序断言或擦除操作
化时, RY / BY #引脚保持一个"0" (繁忙),直到跨
P / N : PM1186
REV 。 1.2 ,一月19 , 2006年
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