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MX29LV160 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MX29LV160
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内容描述: 16M - BIT [ 2Mx8 / 1Mx16 ] CMOS单电压3V仅限于Flash存储器 [16M-BIT [2Mx8/1Mx16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY]
分类和应用: 存储
文件页数/大小: 66 页 / 1356 K
品牌: MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
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MX29LV160T / B & MX29LV160AT / AB
16M - BIT [ 2Mx8 / 1Mx16 ] CMOS单电压
3V ONLY FLASH MEMORY
特点
•扩展单 - 电源电压范围2.7V至3.6V
• 2,097,152 ×8 / 1048576 ×16切换
•单电源工作
- 仅3.0V的读取,擦除和编程操作
手术
•快速存取时间: 70 /为90ns
•低功耗
- 30毫安最大工作电流
- 0.2uA的典型待机电流
•命令寄存器架构
- 字节/字编程( 9US / 11us典型值)
- 扇区擦除(扇区结构16K - Bytex1 ,
8K - Bytex2 , 32K - Bytex1和64K字节X31 )
•自动擦除(芯片&部门)和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合
擦除挂起功能。
- 自动编程,并在指定的验证数据
地址
•擦除暂停/删除恢复
- 挂起扇区擦除操作来读取数据,
或程序的数据,即不被擦除任何部门,
然后恢复擦除。
•状态回复
- 数据查询和放大器;对检测程序的触发位和
擦除操作完成。
•就绪/忙脚( RY / BY )
- 提供了检测程序的硬件方法或
擦除操作完成。
•扇区保护
- 硬件的方法来禁用的任意组合
从编程或擦除操作部门
- 临时机构撤消允许代码修改
先前锁定行业。
• CFI (通用闪存接口)兼容的(对于
MX29LV160AT/AB)
- 闪存器件参数存储在设备上,并
提供主机系统访问
• 100000最小擦除/编程周期
•闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
•引导扇区架构
- T =热门引导扇区
- B =底部引导扇区
• VCC低于写入禁止等于或小于1.4V
•包装类型:
- 44引脚SOP
- 48引脚TSOP
- 48球CSP ( 8x13mm :为MX29LV160T / B ; 6x8mm :
对于MX29LV160AT / AB )
•符合JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪光
擦除和编程期间电力供应的水平,而
保持最大的EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10万次擦除和编程。该MXIC
存储单元的设计优化了擦除和编程
机制。先进此外,组合
隧道氧化处理,且内部电场
擦除和编程操作产生可靠的赛扬
保鲜。该MX29LV160T / B & MX29LV160AT / AB使用
2.7V 〜 3.6V的VCC电源进行高可靠性
擦除和自动编程/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁亲
tection证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
部件名称
MX29LV160T/B
MX29LV160AT/AB
区别
1)在不兼容CFI
2 ) CSP尺寸: 8x13mm
1 )随着CFI兼容
2 ) CSP尺寸: 6x8mm
REV 。 3.7 ,四月23 , 2003
概述
该MX29LV160T / B & MX29LV160AT / AB是一个16万
组织为8位或1M 2M字节的位快闪存储器
字的16位。旺宏的快闪记忆体提供最
具有成本效益和可靠的读/写非易失性随机
存取存储器。该MX29LV160T / B & MX29LV160AT /
AB封装采用44引脚SOP , 48引脚TSOP和48球
CSP 。它被设计成可重新编程和擦除
系统或标准EPROM编程器。
标准MX29LV160T / B & MX29LV160AT / AB OF-
FERS访问时间以最快的速度为70ns ,允许操作
高速微处理器无需等待。为了消除
内特总线冲突, MX29LV160T / B &
MX29LV160AT / AB公司独立芯片使能( CE)和
输出使能( OE )控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能, EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29LV160T / B & MX29LV160AT / AB使用命令
注册管理此功能。该命令稳压
存器允许100%的TTL电平的控制输入和固定
P / N : PM0866
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