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MX29LV400CTTC-70G 参数 Datasheet PDF下载

MX29LV400CTTC-70G图片预览
型号: MX29LV400CTTC-70G
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内容描述: 4M- BIT [ 512K ×8 / 256K ×16 ]的CMOS单电压3V仅限于Flash存储器 [4M-BIT [512K x 8 / 256K x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY]
分类和应用: 存储
文件页数/大小: 68 页 / 889 K
品牌: MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
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MX29LV400C T / B
部门擦除命令
自动扇区擦除不需要的DE-
副是完全预编程之前执行
自动扇区擦除设置命令,并自
tomatic扇区擦除命令。当执行
自动扇区擦除命令后,设备将自动
matically程序,并验证该扇区( S)内存
一个全零的数据模式。该系统不要求
在提供这些操作任何控制或时间。
当该扇区的自动验证,以包含
全零的模式,自定时扇区擦除和验证
开始。擦除和验证操作完成
时或者在Q7中的数据是"1"此时DE-
副返回到读模式,或在Q 6站的数据
切换为两个连续的读周期,在该时间
该设备返回到读取模式。该系统是不
需要提供在这些任何控制或定时
操作。
当使用自动扇区擦除算法,记
该擦除自动终止充足时,
擦除余量已经实现对存储器阵列
(无需擦除验证指令) 。扇形
擦除是六总线周期操作。有两种"un-
lock"写周期。它们之后是写入设定
up命令80H 。两个"unlock"写周期
再其次是扇区擦除命令30H 。该
扇区地址被锁存WE#的下降沿或
CE# ,以较迟者为准发生,而命令(数据)
被锁在WE#或CE #的上升沿为准
首先发生。所选扇区的地址是装载
插入WE#或第六下降沿内部寄存器
CE# ,以较迟者为准发生。每个连续的扇区
负载周期由WE#或CE #下降沿开始,
以较迟者为准发生,必须在50微秒开始从
的前述WE#或CE #的上升沿,取
首先发生。否则,装载时段结束和
内部自动扇区擦除周期开始。 ( Q3监测到
确定扇区擦除定时器窗口仍处于打开状态,
见第3季度,扇区擦除定时器。 )任何其他命令
比扇区擦除( 30H )或擦除挂起( B0H )期间
在超时期间复位器件到读模式。
表7.写操作状态
状态
在自动编程算法字节编程
自动擦除算法
擦除挂起阅读
(擦除暂停的扇区)
进行中
擦除挂起模式
擦除挂起阅读
(非擦除暂停的扇区)
擦除挂起计划
在自动编程算法字节编程
突破
时间限制
自动擦除算法
擦除挂起计划
数据
Q7#
Q7#
0
Q7#
数据
切换
切换
切换
切换
数据数据数据
0
1
1
1
不适用
不适用
1
不适用
不适用
No
切换
切换
不适用
1
0
0
0
0
Q7
(Note1)
Q7#
0
1
Q6
切换
切换
No
切换
Q5
Q3
(Note2)
0
0
0
不适用
1
Q2
No
切换
切换
RY /
BY #
0
0
1
N / A切换
注意:
1. Q7和Q2需要一个有效的地址读取状态信息时。请参阅相应的小节进一步的细节。
2. Q5切换到“1”时的自动程序或自动擦除操作已超过最大时间限制。
见"Q5 :超过时序限制"获取更多信息。
P / N : PM1155
REV 。 1.5 ,四月24 , 2006年
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