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MX29LV400CTTC-70G 参数 Datasheet PDF下载

MX29LV400CTTC-70G图片预览
型号: MX29LV400CTTC-70G
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内容描述: 4M- BIT [ 512K ×8 / 256K ×16 ]的CMOS单电压3V仅限于Flash存储器 [4M-BIT [512K x 8 / 256K x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY]
分类和应用: 存储
文件页数/大小: 68 页 / 889 K
品牌: MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
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MX29LV400C T / B
自动编程
该MX29LV400C T / B是用字节可编程
自动编程算法。自动亲
编程算法使得外部系统不
需要有超时序列也不以验证数据
编程。典型的芯片编程时间在室温
该MX29LV400C T /乙的温度低于10
秒。
准微处理器写时序。该设备将自动
matically预编程和验证整个阵列。然后
该装置自动倍擦除脉冲宽度,
提供了擦除验证,并进行计数的数目
序列。状态位之间连续切换
读周期提供反馈给用户,以该台站
土族的擦除操作。
寄存器的内容作为输入到内部语句
机器控制的擦除和编程税务局局长
cuitry 。在写周期中,指令寄存器间
应受锁存器所需的编程地址和数据
明和擦除操作。在系统写周期
地址被锁存的下降沿,并且数据是
锁存WE#或CE #的上升沿,取
首先发生。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验,生产质量的最高水平,可靠
能力,和成本效益。该MX29LV400C T / B
电擦除同时使用福勒的所有位
Nordheim隧穿。该字节由美中编程
荷兰国际集团的热elec-的EPROM编程机制
tron的注入。
在一个程序周期中,状态机将控制
该程序序列和指令寄存器不会
响应任何命令集。在一个扇区擦除
周期中,命令寄存器将只响应擦除
暂停命令。擦除暂停结束后,
该设备停留在读取模式。状态机之后,
已经完成了它的任务,它将使命令寄存器
之三,以应对其完整的命令集。
自动芯片擦除
整个芯片采用10毫秒的脉冲擦除批量擦除
根据旺宏的自动芯片擦除算法。
典型擦除在室温下完成的
比4秒少。自动擦除算法,非盟
tomatically方案对整个阵列之前,电
抹去。电擦除的时序和验证是
在装置内的内部控制。
自动扇区擦除
该MX29LV400C T / B为界(S )可擦除使用MXIC的
自动扇区擦除算法。自动部门
擦除指定的算法自动程序
所属部门之前,电擦除。定时和可证实
电擦除的阳离子在内部控制中
该设备。擦除操作可以擦除一个扇区,
多个部门或整个设备。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求
用户只写程序建立命令(包括
2解锁写周期和A0H )和一个程序命令
(节目数据和地址)。自动装置
次编程脉冲宽度,提供了亲
克验证,并计算序列的数量。
类似数据#轮询和状态位状态位
连续的读周期之间切换,提供馈
回给用户以编程的状态
操作。请参阅写操作状态,表7 ,更多的
这些状态位的信息。
自动选择
自动选择模式提供了制造商和
设备识别和部门保护验证,
通过Q7 〜 Q0识别码输出。此模式是
主要适用于编程设备,使用默认的
副与其规划算法进行编程。
当通过高压方法编程,自动
选择模式需要VID ( 11.5V至12.5V )的地址
销A9和其他地址引脚A 6, A 1为指表
3.此外,访问自动选择代码在 -
系统中,主机可以发出自动选择的COM
命令通过无需VID命令寄存器,
如表4所示。
为了验证扇区是否受到保护,该节
器地址必须出现在最适当的顺序
REV 。 1.5 ,四月24 , 2006年
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
使用标写命令到命令寄存器
P / N : PM1155
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