MX29LV400T/B
4M- BIT [ 512K ×8 / 256K ×16 ]的CMOS单电压
3V ONLY FLASH MEMORY
特点
•扩展单 - 电源电压范围2.7V至3.6V
• 524,288 ×8 / 262,144 ×16切换
•单电源工作
- 仅3.0V的读取，擦除和编程操作
手术
•快速存取时间： 55R / 70 /为90ns
•低功耗
- 20毫安最大工作电流
- 0.2uA的典型待机电流
•命令寄存器架构
- 字节/字编程（ 9US / 11us典型值）
- 扇区擦除（扇区结构16K字节×1 ，
8K字节×2 ， 32K字节的X1 ，和64K字节X7 ）
•自动擦除（芯片&部门）和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合
擦除挂起功能。
- 自动编程，并在指定的验证数据
地址
•擦除暂停/删除恢复
- 挂起扇区擦除操作来读取数据，
或程序的数据，即不被擦除任何部门，
然后恢复擦除。
•状态回复
- 数据查询和放大器;对检测程序的触发位和
擦除操作完成。
•就绪/忙脚（ RY / BY ）
- 提供了检测程序的硬件方法或
擦除操作完成。
•扇区保护
- 硬件的方法来禁用的任意组合
从编程或擦除操作部门
- Tempoary机构撤消允许代码修改
先前锁定行业。
• 100000最小擦除/编程周期
•闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
•引导扇区架构
- T =热门引导扇区
- B =底部引导扇区
•低VCC写入禁止等于或小于2.3V
•包装类型：
- 44引脚SOP
- 48引脚TSOP
- 48球CSP
•符合JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪光
概述
该MX29LV400T / B是4兆比特闪存或 -
ganized为512K字节的8位或16的256K字
位。旺宏的快闪记忆体提供了最经济有效
略去和可靠的读/写非易失性随机存取
内存。该MX29LV400T / B封装采用44引脚
SOP ， 48引脚TSOP和48球CSP 。它被设计成
重新编程和擦除系统或标准
EPROM编程器。
标准MX29LV400T / B提供了存取时间快
为55ns ，高速microproces-允许操作
感器无需等待。为了消除总线争用，
在MX29LV400T / B已单独的芯片使能（ CE）和
输出使能（ OE ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29LV400T / B使用命令寄存器管理
此功能。命令寄存器允许100 ％
TTL电平控制输入和固定电源电平
擦除和编程过程中同时保持马克西
妈妈EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10万次擦除和编程。该MXIC
存储单元的设计优化了擦除和编程
机制。先进此外，组合
隧道氧化处理，且内部电场
擦除和编程操作产生可靠的赛扬
保鲜。该MX29LV400T / B采用的是2.7V 〜 3.6V的VCC支持
帘布层进行高可靠性擦除和经销商亲
克/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁亲
tection证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
P / N ： PM0710
REV 。 1.4 ，十一月23 ， 2001年
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MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
