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MX29LV640BBTC-90G 参数 Datasheet PDF下载

MX29LV640BBTC-90G图片预览
型号: MX29LV640BBTC-90G
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内容描述: 64M - BIT [ 8M ​​×8 / 4M ×16 ]单电压3V仅限于Flash存储器 [64M-BIT [8M x 8/4M x 16] SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY]
分类和应用: 存储
文件页数/大小: 69 页 / 502 K
品牌: MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
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MX29LV640BT/BB
特点
64M - BIT [ 8M ​​×8 / 4M ×16 ]单电压3V ONLY
FL灰内存
软件特点
•支持通用闪存接口( CFI )
- 闪存器件参数存储在设备上,并
提供主机系统的访问。
•擦除暂停/删除恢复
- 挂起扇区擦除操作来读取数据
或程序数据到另一个扇区是不是
删除
•状态回复
- 数据#轮询&切换位提供检测的亲
克和擦除操作完成
一般特点
•单电源工作
- 2.7到3.6伏读取,擦除和编程操作
系统蒸发散
• 8,388,608 ×8 / 4194304 ×16切换
•产业结构
- 8KB ( 4KW )× 8和64KB ( 32KW )× 127
•扇区保护/撤消芯片
- 提供行业组保护功能,防止
在受保护的部门编程或擦除操作
- 提供芯片撤消功能允许代码
变化
- 提供临时机构集团解除保护功能
在以前受保护的行业团体代码更改
•安全硅行业
- 提供一个128字的区域代码或数据可以
被永久保护。
- 一旦这个行业是受保护的,禁止以亲
克或再次部门内删除。
•闭锁保护250mA的从-1V到Vcc + 1V
•低VCC写入禁止等于或小于1.5V
•兼容JEDEC标准
- 针脚和软件兼容的单电源支持
层闪光
性能
•高性能
- 快速存取时间: 90 / 120ns的
- 快速编程时间: 11us /字, 45秒/芯片(典型值)
- 快速擦除时间: 0.9S /部门, 45S /芯片(典型值)
•低功耗
在5MHz 9毫安(典型值) : - 低有效的读电流
- 低待机电流: 0.2uA (典型值)。
•最少100,000次擦除/编程周期
- 数据保存10年
硬件特性
•就绪/忙( RY / BY # )输出
- 提供了检测程序的硬件方法
和擦除操作完成
•硬件复位( RESET # )输入
- 提供了硬件的方法来重置内部
状态机来读取模式
• WP # / ACC输入
- 写保护( WP # )功能可保护2
最外层的引导扇区,无论部门保护
状态
- ACC (高电压)加速编程时间
系统在更高的吞吐量
- 48引脚TSOP
• 63球CSP
所有无铅器件符合RoHS标准
概述
该MX29LV640BT / BB是64兆比特的闪存
组织成8位8M字节或16位的4M字。
旺宏的快闪记忆体提供了最具成本效益和
可靠的读/写的非易失性随机存取存储器。
该MX29LV640BT / BB封装采用48引脚TSOP和
63球CSP 。它被设计成可重新编程和
删除系统或标准EPROM编程器。
标准MX29LV640BT / BB提供存取时间为
高速微处理器的速度是为90ns ,使操作
处理机无需等待。为了消除总线conten-
化,在MX29LV640BT / BB有独立的芯片使能
( CE # )和输出使能( OE # )控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能, EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
P / N : PM1076
REV 。 1.2 ,九月07 , 2005年
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