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MX29LV800BBTI-70G 参数 Datasheet PDF下载

MX29LV800BBTI-70G图片预览
型号: MX29LV800BBTI-70G
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内容描述: 8M - BIT [ 1Mx8 / 512K X16 ] CMOS单电压3V仅限于Flash存储器 [8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 63 页 / 749 K
品牌: MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
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MX29LV800BT/BB
查询命令和通用闪存
接口(CFI )模式( MX29LV800BT /
BB)
MX29LV800BT / BB能在CFI经营
模式。此模式下,所有的主机系统,以确定
该设备的制造商,如操作参
ETERS和配置。两个命令都需要在
CFI模式。对CFI模式查询命令放在第一,
然后复位命令退出CFI模式。这些都是
在表6中描述。
单周期的查询命令只当
设备在读取模式,包括擦除挂起,
待机模式和读ID模式;然而,它是会忽
接异或以其他方式。
从CFI模式的复位命令退出
阅读模式,或者擦除挂起模式,或读取ID模式。
该命令仅当该设备处于
CFI模式。
表4-1 。 CFI模式:标识数据值
(这些表中的所有值都以十六进制表示)
描述
查询唯一的ASCII字符串"QRY"
地址
(字节模式)
20
22
24
26
28
2A
2C
2E
30
32
34
地址
(字模式)
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
1A
数据
0051
0052
0059
0002
0000
0040
0000
0000
0000
0000
0000
主要的供应商的命令集和控制接口ID代码
地址原发性算法扩展查询表
备选供应商的命令集和控制接口ID代码(无)
地址进行二次算法扩展查询表(无)
表4-2 。 CFI模式:系统接口的数据值
(这些表中的所有值都以十六进制表示)
描述
VCC供电,最小值( 2.7V )
VCC供电,最大( 3.6V )
VPP电源,最小(无)
VPP电源,最大(无)
典型的超时单字/字节写( 2
N
美)
典型的超时最小大小的缓冲区写入( 2
N
美)
典型的超时个别块擦除( 2
N
女士)
典型的超时整片擦除( 2
N
女士)
对于单字/字节写时间最长超时时间( 2
N
X典型值)
缓冲区写入时间最长超时时间( 2
N
X典型值)
个别块擦除时间最长超时时间( 2
N
X典型值)
全片擦除时间最长超时时间(不支持)
P / N : PM1062
地址
(字节模式)
36
38
3A
3C
3E
40
42
44
46
48
4A
4C
地址
(字模式)
1B
1C
1D
1E
1F
20
21
22
23
24
25
26
数据
0027
0036
0000
0000
0004
0000
000A
0000
0005
0000
0004
0000
REV 。 1.3 ,十二月20 , 2004年
8