MX29LV800C T / B
自动编程
该MX29LV800C T / B是用字节可编程
自动编程算法。自动亲
编程算法使得外部系统不
需要有超时序列也不以验证数据
编程。典型的芯片编程时间在室温
该MX29LV800C T /乙的温度低于10
秒。
准微处理器写时序。该设备将自动
matically预编程和验证整个阵列。然后
该装置自动倍擦除脉冲宽度，
提供了擦除验证，并进行计数的数目
序列。状态位之间连续切换
读周期提供反馈给用户，以该台站
土族的擦除操作。
寄存器的内容作为输入到内部语句
机器控制的擦除和编程税务局局长
cuitry 。在写周期中，指令寄存器间
应受锁存器所需的编程地址和数据
明和擦除操作。在系统写周期
地址被锁存的下降沿，并且数据是
锁存WE＃或CE ＃的上升沿，取
首先发生。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验，生产质量的最高水平，可靠
能力，和成本效益。该MX29LV800C T / B
电擦除同时使用福勒的所有位
Nordheim隧穿。该字节由美中编程
荷兰国际集团的热elec-的EPROM编程机制
tron的注入。
在一个程序周期中，状态机将控制
该程序序列和指令寄存器不会
响应任何命令集。在一个扇区擦除
周期中，命令寄存器将只响应擦除
暂停命令。擦除暂停结束后，
该设备停留在读取模式。状态机之后，
已经完成了它的任务，它将使命令寄存器
之三，以应对其完整的命令集。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求
用户只写程序建立命令（包括
2解锁写周期和A0H ）和一个程序命令
（节目数据和地址）。自动装置
次编程脉冲宽度，提供了亲
克验证，并计算序列的数量。
类似数据＃轮询和状态位状态位
连续的读周期之间切换，提供馈
回给用户以编程的状态
操作。参阅写操作状态，表8中，为了更
这些状态位的信息。
自动芯片擦除
整个芯片采用10毫秒的脉冲擦除批量擦除
根据旺宏的自动芯片擦除算法。
典型擦除在室温下完成的
比25秒少。自动擦除算法
自动程序electri-之前，整个阵列
CAL擦除。电擦除的定时与验证
在设备内的内部控制。
自动选择
自动扇区擦除
该MX29LV800C T / B为界（S ）可擦除使用MXIC的
自动扇区擦除算法。自动部门
擦除指定的算法自动程序
所属部门之前，电擦除。定时和可证实
电擦除的阳离子在内部控制中
该设备。擦除操作可以擦除一个扇区，
多个部门或整个设备。
自动选择模式提供了制造商和设备
识别和部门保护的验证，通过
识别码输出上Q7 〜 Q0 。此模式是主要
适于编程设备的设备上是
编程的编程算法。当亲
高电压编程方式，自动选择模式
需要VID （ 11.5V至12.5V ）的地址引脚A9和
其他地址引脚A 6， A 1和A 0为参照在表3中。
此外，访问自动选择码-系
TEM ，主机可以发出自动选择命令
通过命令寄存器，而无需VID ，如
表5所示。
为了验证扇区是否受到保护，该节
器地址必须出现在最适当的顺序
REV 。 1.4 ，四月24 ， 2006年
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
使用标写命令到命令寄存器
P / N ： PM1183
7
MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
