MX29SL800C T / B
特点
8M - BIT [ 1Mx8 / 512K X16 ] CMOS单电压
仅1.8V FLASH MEMORY
•就绪/忙＃引脚（ RY / BY ＃ ）
- 提供了检测程序的硬件方法或
擦除操作完成
•硬件复位引脚（ RESET ＃ ）
- 硬件的方法来重置设备读取阵列
数据
•扇区保护
- 硬件的方法来禁用的任意组合
从编程或擦除操作部门
- 临时机构无保护允许代码修改
在先前锁定行业
• CFI （通用闪存接口）兼容
- 闪存器件参数存储在设备上，并
提供主机系统访问
• 100000最小擦除/编程周期
•闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
•引导扇区架构
- T =热门引导扇区
- B =底部引导扇区
•包装类型：
- 48引脚TSOP
- 48球CSP
-
所有无铅器件符合RoHS标准
•符合JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪光
- 数据保存10年
•扩展单 - 电源电压范围1.65V至2.2V
• 1,048,576 ×8 / 524,288 ×16切换
•单电源工作
- 仅1.8V的读取，擦除和编程操作
手术
•快速存取时间：为90ns
•低功耗
- 12毫安最大工作电流（ 10MHz时）
- 1uA的典型待机电流
•命令寄存器架构
- 字节/字编程（ 12us / 18us典型值）
- 扇区擦除（扇区结构16K - Bytex1 ，
8K - Bytex2 ， 32K - Bytex1和64K字节X15 ）
•自动擦除（芯片&部门）和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合
擦除挂起功能。
- 自动编程，并在指定的验证数据
地址
•擦除暂停/删除恢复
- 挂起扇区擦除操作来读取数据，
或程序的数据，即不被擦除任何部门，
然后恢复擦除
•状态回复
- 数据＃轮询&切换位检测方案
和擦除操作完成
概述
该MX29SL800C T / B为8兆比特的闪存
组织为1M字节的8位或16位的512K字。
旺宏的快闪记忆体提供了最具成本效益和
可靠的读/写的非易失性随机存取存储器。
该MX29SL800C T / B封装采用48引脚TSOP和
48球CSP 。它被设计成可重新编程和
删除系统或标准EPROM编程器。
标准MX29SL800C T / B提供了存取时间为
高速微处理器的速度是为90ns ，使操作
处理机无需等待。为了消除总线conten-
化，在MX29SL800C T / B具有独立的芯片使能
（ CE ＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29SL800C T / B使用一个命令寄存器管理
此功能。命令寄存器允许100 ％
TTL电平控制输入和固定电源电平
擦除和编程过程中同时保持马克西
妈妈EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10万次擦除和编程。该MXIC
存储单元的设计优化了擦除和编程
机制。先进此外，组合
隧道氧化处理，且内部电场
擦除和编程操作产生可靠的赛扬
保鲜。该MX29SL800C T / B采用了1.65V 〜 2.2V的VCC
提供给执行高可靠性擦除和经销商
编程/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁亲
tection证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
P / N ： PM1224
REV 。 1.0 ，四月20，2006
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MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
