MX66C1024
5V低功耗CMOS SRAM的128 ×8位
n
特点
•的Vcc工作电压： 5V
•低功耗：
45毫安（最大）写入电流
2毫安（最大）读出电流
0.6uA （典型值） CMOS待机电流
•高速存取时间：
-70
70ns的（最大）
-10
为100ns （最大值）。
•输入电平CMOS兼容
•自动断电，当芯片被取消
•三态输出
•全静态工作
•数据保持电源电压低至1.2V
•易于扩展与CE2 ， CE1和OE选项
n
描述
该MX66C1024是一款高性能，超低功耗
CMOS
由8组织为131072字静态随机存取存储器
位和工作在5.0V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
一个典型的CMOS待机高速度和低功耗的特点，
为70ns和100ns的电流0.005uA和最大访问时间
容易记忆膨胀是由一个低有效芯片提供
使能（ CE1 ） ，高电平有效芯片使能（ CE2 ） ，和主动
低输出使能（ OE ）和三态输出驱动器。
该MX66C1024具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该MX66C1024可在JEDEC标准的32引脚
SOP ， STSOP和TSOP 。
n
销刀豆网络gurations
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
n
框图
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
CE2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE1
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
•
1
2
3
4
5
6
7
8
MX66C1024MC
9
MX66C1024MI
10
11
12
13
14
15
16
A6
A7
A12
A14
A16
A15
A13
A8
A9
A11
地址
输入
卜FF器
20
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 1024
1024
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
8
数据
输入
卜FF器
8
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
8
128
列解码器
14
控制
地址输入缓冲器
•
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
MX66C1024TC
MX66C1024SC
MX66C1024TI
MX66C1024SI
A11
A9
A8
A13
WE
CE2
A15
VCC
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE1
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
GND
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
8
数据
产量
卜FF器
CE2
CE1
WE
OE
VDD
GND
A5 A4 A3 A2 A1 A0 A10
P / N DS00040
1
1.0版1999年11月
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