MDE半导体公司
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额定值和特性曲线1.5KE系列
图。 1 - 额定峰值脉冲功率曲线
100
图2 - 脉冲降额曲线
100
87.5
P
PPM
- 峰值脉冲功率
（ kW）的
峰值脉冲功率（ P）
PP
或电流（I
PP
)
降额百分比， ％
1.0µs
10µs
100µs
1.0ms
10ms
75
62.5
50
37.5
25
12.5
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
10
1
0.1
0.1µs
t
d
- 脉冲宽度（秒）。
T
A
- 环境温度
图3 - 脉冲波形
150
图。 4 - 典型结电容
10000
10000
单向
双向
I
PPM
- 峰值脉冲电流， ％I
RSM
t
r
= 10微秒。
峰值
I
PPM
100
一半价值 - 我
PPM
2
T
J
= 25°C
脉冲宽度（ TD ）的定义
作为该点所在的
峰值电流衰减到
我50 ％
PPM
1000
C
J
- 电容（pF ）
V
R
= 0
1000
50
10/1000µsec.Waveform
界定的R.E.A.
100
V
R
=额定
对峙电压
100
F = 1MHz的
VSIG = 50mVp -P
T
J
= 25°C
t
d
0
0
1.0
2.0
3.0
3.0
4.0
10
4.0
1
10
5
1000
吨 - 时间（ms ）
10
10
100
500
1000
VWM - 反向关态电压（ V）
图。 5 - 稳态功率
降额曲线
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
1.6x1.6x.040"
(40x40x1mm)
铜散热器
25
50
75
100
125
150
175
200
图6 - 最大非重复正向
浪涌电流单向用房
200
P
M（ AV）在
，稳定状态功率
耗散（W）的
L = 0.375"设计（9.5mm ）
导线长度
峰值正向浪涌
当前，安培
60Hz
电阻或
感性负载
100
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
T
J
= T
J
最大，
10
1
10
100
0
0
循环次数在60赫兹
T
L
- 焊接温度（ ° C）
MDE [ MDE SEMICONDUCTOR, INC. ]
