MDE半导体公司
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额定值和特性曲线P4KE系列
P
PPM
-Peak脉冲功率（kW）
图。 1 - 额定峰值脉冲功率
100
图2 - 脉冲降额曲线
100
峰值脉冲功率（P
PP
)
或电流（I
PPM
)
降额百分比， ％
非重复脉冲
波形图。
3
10
75
50
1
25
0
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.1µs
1.0µs
10µs
100µs
1.0ms
10ms
T
A
- 环境温度（ ° C）
t
d
- 脉冲宽度（秒）。
图3 - 脉冲波形
150
图4 - Typ.Junction电容单向
10000
t
r
= 10微秒。
I
PPM
- 峰值脉冲电流，
% I
RSM
峰值
I
PPM
100
一半价值 - 我
PPM
2
脉冲宽度（ TD ）是
定义
作为该点所在的
峰值电流衰减到
我50 ％
C
J
- 结电容
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
F = 1.0MH
Z
VSIG = 50mVp -P
1000
测得零偏置
50
10/1000µsec.Waveform
界定的R.E.A.
100
t
d
0
0
1.0
1000
在测
对峙
电压，V
WM
10
3.0
吨 - 时间（ms ）
2.0
3.
4.0
4.0
1.0
V
WM
-
逆向平衡电压（V ）
10
100
200
图5 - 稳态功率降额曲线
1.00
图6 - 最大非重复正向
浪涌电流单向只
200
T
J
= T
J
马克斯。
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
PM
（AV）
，稳定状态功率
耗散（W）的
0.88
0.75
0.63
0.50
0.38
0.25
0.13
0.00
L = 0.375"设计（9.5mm ）
导线长度
60赫兹电阻或
感性负载
I
FSM
- 山顶
前锋
浪涌电流（ A）
100
50
1.6x1.6x.040"
(40x40x1mm)
铜散热器
10
1
5
10
50
100
100
T
L
- 焊接温度（ ° C）
0
25
50
75
100
125
150
175
200
图7 - 典型的反向漏电特性
测量器件
对峙电压，V
WM
T
A
= 25°C
循环次数在60赫兹
图。 8 - Typ.Transient热阻抗
100
10
1
瞬态热阻抗
（ ° C / W）
I
D
- 瞬时
反向
漏电流（ μA ）
10
0.1
0.01
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
（ BR ）
- 击穿电压
t
p
-pulse持续时间（秒）
MDE [ MDE SEMICONDUCTOR, INC. ]
