MDE半导体公司
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额定值和特性曲线P6KE系列
Pig.1 - 额定峰值脉冲功率曲线
P
PPM
- 峰值脉冲
100
图2 - 脉冲降额曲线
100
非重复脉冲
波形图。
3
峰值脉冲功率（ P）
PP
或电流（I
PPM
)
降额百分比， ％
87.5
75
62.5
50
37.5
25
12.5
0
10
1
0.1
0.1µs
1.0µs
10µs
100µs
1.0ms
10ms
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
t
d
- 脉冲宽度（秒）。
图3 - 脉冲波形
150
T
A
- 环境温度
10000
Fig.4
t
r
= 10微秒。
峰值
I
PPM
一半价值 - 我
PPM
2
I
PPM
- 峰值脉冲电流，
% I
RSM
T
J
= 25°C
脉冲宽度（ TD ）是
定义
作为该点所在的
峰值电流衰减到
我50 ％
PPM
10/1000µsec.Waveform
界定的R.E.A.
- Typ.Junction电容统一企业
在测
零偏压
6000
100
C
J
- 结电容（pF ）
1000
T
J
= 25°C
F = 1.0MH
Z
VSIG = 50mVp -P
50
100
t
d
0
0
1.0
2.0
3.0
吨 - 时间（ms ）
3
在测
对峙
电压，V
WM
10
1000
4.0
4.0
1.0
1
100
200
V
WM
- 反向关态电压（ V）
图5 - 稳态功率降额曲线
I
FSM
- 正向峰值
浪涌电流（ A）
L = 0.375"设计（9.5mm ）
导线长度
60赫兹电阻或
感性负载
图6 - Max.Non -重复正向浪涌
200
5.00
4.38
3.75
3.13
2.50
1.88
1.25
0.63
0.00
0
0
PM
（AV）
，稳定状态
动力
耗散（W）的
只有单向
100
T
J
= T
J
马克斯。
8.3ms单半正弦
WAVE
50
1.6x1.6x.040"
(40x40x1mm)
铜散热器
25
50
75
100
125
150
175
200
10
1
T
L
- 焊接温度（℃
图7 - 典型的反向漏电特性
1000
100
5
10
50
100
周期数为60
图。 8 - Typ.Transient热阻抗
瞬态热阻抗
(
℃
/W)
I
D
- 瞬时反向
漏电流（ μA ）
100
10
测量器件
对峙电压，V
WM
T
A
= 25°C
10
1
0.1
1
0.01
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
（ BR ）
- 击穿电压（ V）
t
p
-pulse持续时间（秒）
MDE [ MDE SEMICONDUCTOR, INC. ]
