MDE半导体公司
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额定值和特性曲线SMCJ系列
图。 1 - 额定峰值脉冲功率
100
图2 - 脉冲降额曲线
峰值脉冲功率（ P）或电流（I
PP
)
PP
降额百分比， ％
100
87.5
75
62.5
50
37.5
25
12.5
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
P
PPM
-Peak脉冲功率（kW）
10
1
0.31x0.31"(8.0x8.0mm)
铜焊盘区
0.1
0.1µs
1.0µs
10µs
100µs
1.0ms
10ms
t
d
- 脉冲宽度（秒）。
100000
T
A
- 环境温度（ ° C）
图4 - 典型结电容
单向
图3 - 脉冲波形
150
20000
10000
在测
零偏压
I
PPM
- 峰值脉冲电流， ％I
RSM
t
r
= 10微秒。
峰值
I
PPM
100
一半价值 - 我
PPM
2
T
J
= 25°C
C
J
- 结电容（pF ）
脉冲宽度（ TD ）的定义
作为该点所在的
峰值电流衰减到
我50 ％
PPM
1000
V
R
，在测
对峙
电压，V
WM
100
T
J
= 25°C
F = 1.0MH
Z
VSIG = 50mVp -P
100
50
10/1000µsec.Waveform
界定的R.E.A.
单向
双向
1000
400
t
d
0
0
1.0
2.0
3.0
3.0
10
4.0
4.0
1.0
10
400
吨 - 时间（ms ）
V
WM
- 反向关态电压（ V）
1000
图。 5 - Typ.Transient热阻抗
100
瞬态热阻抗
(
℃
/W)
图6 - 最大非重复正向
浪涌电流单向用房
200
10
1
1.0
峰值正向浪涌
当前，安培
100
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
T
J
= T
J
最大，
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
10
1
10
100
t
p
-pulse持续时间（秒）
循环次数在60赫兹
MDE [ MDE SEMICONDUCTOR, INC. ]
