深圳市美芯微电子有限公司
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MDT10P53
1.
概述
这个
8
�½�基于
EPROM
微控制器是由完全
静态
COMS
技术设计，集高速、�½�积小、�½�功
耗和抗高噪声一�½�的芯片。
内存包括
1.0K
字节
EPROM
和
41
字节静
态
RAM数
2.
特点
如下是关于�½�硬件的一些特点：
u
完全
CMOS
静态设计
u
8
�½�数据总线
u
EPROM
大小：1K
u
内部
内存
大小：47 字节（41 通用目的寄
存器，6 特殊寄存器）
u
36
条指令
u
14
�½�指令长度
u
2
级硬件堆栈
u
工�½�电压：2。5V――6。0V
u
工�½�频率：0~20MHZ
u
最短指令执行时间是在
20MHz
下除分支指
令外的所有单周期指令的
200ns
u
寻址方式包括直接，间接和相对寻址方式
u
上电复�½�（POR）
u
睡眠�½�功耗方式
u
5
种可选振荡器类型
INTRC-内部4 MHz的RC
振荡器
RC––––�½�价 RC
振荡器
LFXT–––�½�频晶�½�振荡器
XTAL���––标准晶�½�振荡器
HFXT–––高频晶�½�振荡器
u
3
种振荡器起动时间：
20毫秒， 40毫秒， 80毫秒
u
带
8
�½�可编程分频器的
8
�½�实时时钟／记
数器（ RTCC ）
u
自振式看门狗定时器（ WDT ）
u
I / O
口电平变化可将
IC
从睡眠模式唤醒
3.
应用
MDT10P53
的应用范围从高速自动机�½�
（电�½�）
到�½�电源遥控发送／接收器，充电设备装�½�，
无线电通讯如遥控器、小型设备、玩具、�½�½�
和
PC
外围等。
4.
引脚定义
MDT10P53A1P/MDT10P53A1S
VDD
PB5
PB4
PB3
VDD
OSC1
OSC2/PB4
PB3
VDD
PB5
PB4
/ MCLR
VDD
OSC1
OSC2/PB4
/ MCLR
1
2
3
4
1
2
3
4
1
2
3
4
1
2
3
4
8
7
6
5
8
7
6
5
8
7
6
5
8
7
6
5
VSS
PB0
PB1
PB2/RTCC
VSS
PB0
PB1
PB2/RTCC
VSS
PB0
PB1
PB2/RTCC
VSS
PB0
PB1
PB2/RTCC
MDT10P53A2P/MDT10P53A2S
MDT10P53A3P/MDT10P53A3S
MDT10P53A4P/MDT10P53A4S
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P.1
Ver1.2
MDTIC [ Micon Design Technology Corporation ]
