1GB ： X4，X8 ， X16 DDR3 SDRAM
特点
DDR3 SDRAM
MT41J256M4 - 梅格32 ×4× 8银行
MT41J128M8 - 梅格16 ×8× 8银行
MT41J64M16 - 8梅格×16× 8银行
特点
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
V
DD
= V
DD
Q = + 1.5V ± 0.075V
1.5V中间终止推/拉I / O
双向差分数据选通
8N位预取架构
差分时钟输入（ CK ， CK ＃ ）
8个内部银行
名义和动态片上端接（ ODT ）的
数据选通信号，以及屏蔽信号
CAS （读出）的延迟（CL） ： 5，6， 7，8， 9，10，或11的
Posted CAS附加延迟（ AL ） ： 0 ， CL - 1 ， CL - 2
CAS （写）延迟（CWL ） ： 5，6， 7，8，根据
t
CK
固定突发长度为8 （ BL ）和4爆裂斩（ BC）
（通过模式寄存器集[刘健] ）
可选BC4或BL8上的即时（ OTF ）
自刷新模式
T
C
0
o
C至95
o
C
–
64毫秒， 8,192周期在0刷新
o
C至85
o
C
–
32ms的85
o
C至95
o
C
300-800 MHz的时钟频率范围
自刷新温度（ SRT）
自动自刷新（ ASR ）
写调整
多用途寄存器
输出驱动器校准
关键时序参数
数据速率（ MT / s）的
1600
1600
1600
1333
1333
1333
1066
1066
800
800
目标
t
RCD-
t
RP- CL
11-11-11
10-10-10
9-9-9
10-10-10
9-9-9
8-8-8
8-8-8
7-7-7
6-6-6
5-5-5
t
RCD
选项
•配置
–
256梅格×4
–
128梅格×8
–
梅格64 ×16
• FBGA封装（无铅） - X4，X8
–
78球FBGA （采用8mm x 11.5毫米）版本˚F
–
78球FBGA （9毫米X 11.5毫米） Rev. D的
–
86球FBGA （9毫米X 15.5毫米）版本B
• FBGA封装（无铅） - X16
–
96球FBGA （9毫米X 15.5毫米）版本B
•时间 - 周期时间
–
1.25ns @ CL = 11 （ DDR3-1600 ）
–
1.25ns @ CL = 10 （ DDR3-1600 ）
–
1.25ns @ CL = 9 （ DDR3-1600 ）
–
1.5ns @ CL = 10 （ DDR3-1333 ）
–
1.5ns @ CL = 9 （ DDR3-1333 ）
–
1.5ns @ CL = 8 （ DDR3-1333 ）
–
1.87ns @ CL = 8 （ DDR3-1066 ）
–
1.87ns @ CL = 7 （ DDR3-1066 ）
–
为2.5ns @ CL = 6 （ DDR3-800 ）
–
为2.5ns @ CL = 5 （ DDR3-800 ）
•修订
记号
256M4
128M8
64M16
JP
HX
BY
LA
-125
-125E
-125F
-15
-15E
-15F
-187
-187E
-25
-25E
： B / ：D / ：F
•
•
•
•
•
•
表1：
速度等级
-125
-125E
-125F
-15
-15E
-15F
-187
-187E
-25
-25E
（纳秒）
t
RP
（纳秒）
CL（纳秒）
13.75
12.5
11.25
15
13.5
12
15
13.1
15
12.5
13.75
12.5
11.25
15
13.5
12
15
13.1
15
12.5
13.75
12.5
11.25
15
13.5
12
15
13.1
15
12.5
PDF ： 09005aef826aa906 /来源： 09005aef82a357c3
1Gb_DDR3_D1 .FM - Rev. D的08年8月1日EN
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