ECO -PAC
TM
2
MOSFET模块
PSMG 60/08
S
G
D
初步数据表
V
DSS
=
I
D25
=
R
DS （ ON）
=
≤
t
rr
800 V
60 A
0.12
Ω
250纳秒
MOSFET
（数据相关的单芯片）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
V
ISOL
V
ISOL
M
d
a
重量
符号
V
DSS
V
GS （ TH）
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25° C到150° C，R
GS
= 1 MΩ
连续
短暂
T
例
= 25 °C
T
例
= 25 ℃，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25 °C
T
C
= 25 °C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
,
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 2
Ω
最大额定值
800
800
±20
±30
60
240
60
64
3
5
1200
-55...+150
+150
-55...+150
V
V
V
V
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
V~
V~
Nm
lb.in.
M / S
2
g
典型的画面;变化
引脚配置
被保留。
特点
T
例
= 25 °C
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
50/60赫兹， RMS
I
ISOL
≤
1毫安
安装力矩
吨= 1分钟。
t=1s
(M4)
2500
3000
1.5
14
50
26
与DCB陶瓷基板封装
隔离电压3000伏
∼
平面玻璃钝化芯片
低正向压降
信息适用于印刷电路板
焊接
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
快速内在整流器
UL registerd ，E 148688
应用
DC- DC转换器
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
温度和照明控制
最大。允许加速
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 3毫安
V
DSS
温度COEF网络cient
分钟。
特征值
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
800
0.096
3.0
5.0
-0.214
±
200
100
2
0.12
V
%/K
V
V
%/K
nA
µA
mA
Ω
优势
容易用两个螺丝安装
空间和减轻重量
提高温度和功率
循环能力
高功率密度
小，重量轻
典型值。
分钟。
马克斯。
V
GS
= V
DS
, I
D
= 8毫安
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
典型值。
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
DS
= 0 V
,
V
GS
=
±
20 V
V
DS
= V
DSS
,
V
GS
= 0 V,
V
GS
T
J
=
马克斯。
25 °C以下。
T
J
= 125 °C以下。
= 10 V，I
D
= 0.5 . I
D25
马克斯。
脉冲测试，T
≤
300 µs,
占空比ð
≤
2 %
注意事项：
所有给出的数据是由来自
类似的模块或芯片从数据中估计。
注意事项：
这些装置是否灵敏。
静电放电。用户应
遵守适当的ESD处理措施。
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