ECO -PAC
TM
2
的CoolMOS功率MOSFET
在ECO -PAC 2
N沟道增强模式
低R
DSON
，高V
DSS
MOSFET
电气隔离基础软件包
L4
L6
L9
P18
R18
K12
NTC
K13
PSMI 40/06
I
D25
V
DSS
R
DSON
= 38 A
= 600 V
= 70 mΩ
Ω
1)
初步数据表
MOSFET
符号
V
DSS
V
GS
I
D25
I
D90
dv / dt的
E
AS
E
AR
条件
T
VJ
= 25 ℃至150 ℃的
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
V
DS
＆ LT ; V
DSS
; I
F
≤
50A;di
F
/ dt≤ 200A / μs的
T
VJ
= 150°C
I
D
= 10 A; L = 36 mH的;牛逼
C
= 25°C
I
D
= 20 A; L = 5微亨;牛逼
C
= 25°C
最大额定值
600
V
±20
V
38
A
25
A
6
V / ns的
1.8
1
J
mJ
特点
•
ECO -PAC 2 DCB基地
- 对电气隔离
散热器
- 低耦合电容散热器
为减少EMI
- 高功率耗散
- 高温循环能力
在DCB芯片
- 焊引脚DCB安装
快速的CoolMOS功率MOSFET - 2
nd
GENERATION
- 高阻断能力
- 低导通电阻
- 雪崩额定松开
感应开关（ UIS）
- 低热阻
由于减少了芯片的厚度
增强的总功率密度
UL注册，E 148688
•
符号
条件
R
DSON
V
gsth
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
F
R
thJC
特征值
(T
VJ
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。马克斯。
V
GS
= 10 V ;我
D
= I
D90
70 m
Ω
V
DS
= 20V;我
D
= 3毫安;
3.5
5.5
V
V
DS
= V
DSS
; V
GS
= 0 V ;牛逼
VJ
= 25°C
25 µA
T
VJ
= 125°C
60
µA
V
GS
= ±20 V; V
DS
= 0 V
100 nA的
220
nC
55
nC
V
GS
= 10 V; V
DS
= 350 V ;我
D
= 50 A
125
nC
30
ns
95
ns
V
GS
= 10 V; V
DS
= 380 V;
100
ns
I
D
= 25 A; ř
G
= 1.8
Ω
10
ns
（反向传导）I
F
= 20 A; V
GS
= 0 V
0.9
1.1
V
每个MOSFET
0.45 K / W
•
•
应用
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
1)
开关模式电源（ SMPS ）
不间断电源（ UPS ）
功率因数校正（ PFC ）
焊接
感应加热
优势
容易用两个螺丝安装
空间和减轻重量
提高温度和功率
循环能力
高功率密度
小，重量轻
根据IEC 60747的数据指的是单个二极管或晶体管，除非另有说明
注意事项：
这些装置是否灵敏。
静电放电。用户应
遵守适当的ESD处理措施。
的CoolMOS是英飞凌科技公司的商标。
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