EVB71112
868 / 915MHz的接收器
评估板说明
1
1.1
工作原理
一般
与TH71112接收芯片，各种电路配置可以被布置，以满足许多
不同客户的要求。对于FM / FSK接收使用相一致的，如果储罐
解调器也可以通过陶瓷鉴别器与变容二极管来创建的AFC构成
电路。在ASK结构， RSSI信号被馈送到一个ASK检波器，它是由构成
运算放大器。
超外差结构是双转换，其中MIX1和MIX2由内部驱动
本地振荡信号LO1和LO2上。这允许图像载波抑制的程度高，实现了
与RF前端滤波器一起使用。有效的射频前端滤波是通过使用一个SAW意识到，陶瓷或
螺旋滤波器的低噪声放大器的前部和由在LNA输出端增加一个LC滤波器。
单转换变种，称为TH71111 ，也可用。两个接收器IC具有相同的模具。在
TH71111第二混频器MIX2操作为一个放大器。
在TH71112接收器IC由以下积木：
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PLL合成器（ SYNTH锁相环），用于产生所述第一和第二本机振荡信号LO1和LO2的，
在PLL合成器部分包括：高频VCO1 ，反馈分频器DIV_16和DIV_2 ，
一个相位 - 频率检测器（PFD ），电荷泵（CP）和基于晶体基准振荡器（RO）
低噪声放大器（LNA ），用于高灵敏度的RF信号的接收
第一混频器（ MIX1 ），用于下变频的RF信号到第一中频的（ IF1）的
第二混频器（ MIX2 ），用于下变频的IF1至所述第二中频（ IF2）
IF放大器（IFA ），以放大和限制IF2信号和用于RSSI代
相重合解调器（DEMOD ）与第三混合器（ MIX3 ）以解调IF信号
运算放大器（ OA ），以便进行数据分割，滤波和ASK检测
偏置电路的带隙偏置电路和关断
1.2
EVB技术数据概述
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第一IF2范围： 400 kHz至22 MHz的
!
最大输入电平： -10 dBm的@ ASK
为0 dBm @ FSK
!
镜像抑制： > 60分贝（例如使用868.3兆赫
SAW前端滤波器，并在10.7兆赫IF2）
!
杂散发射： < -70 dBm的
!
输入频率范围内接受：高达
±100
千赫
!
RSSI范围： 70分贝
!
FM / FSK偏差范围：
±2.5
kHz至
±80
千赫
!
最大模拟调制频率： 15千赫
!
输入频率范围： 750 MHz至990 MHz的
!
电源电压范围： 2.3 V至5.5 V @ ASK
2.7 V至5.5 V @ FSK
!
温度范围： -40°C至+85°C
!
!
工作电流7.5毫安，低增益模式
9.2毫安@高增益模式
!
灵敏度： -109 dBm的@ ASK 1 ）
-103 dBm的@ FSK 2 ）
!
第一IF1范围： 10 MHz到80 MHz
1）在4 kbps的NRZ， BER = 3⋅10
-3
， 180 kHz的中频滤波器带宽，含。 3分贝SAW前端滤波器损耗
2）在4 kbps的NRZ， BER = 3⋅10
-3
,
±
20kHz的FSK偏差， 180 kHz的中频滤波器带宽，含。 3分贝SAW前端最终
滤失
有关详细信息，请参阅最新的TH71112数据表修订
39012 71112 01
修订版011
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EVB说明
June/07
MELEXIS [ Melexis Microelectronic Systems ]
