EVB72006
315MHz的FSK / ASK发送器
评估板说明
3 50
Ω
接口板电路原理图
图。 6 ：
50电路图
Ω
匹配网络
3.1
板元件值
SIZE
0805
0805
0805
0805
0805
0805
0805
0805
0805
0805
0805
1206
0805
SMD
6x3.5
0805
部分
CM1
CM2
CM3
LM
LT
CX1
_FSK
CX1
_ASK
CX2
CCK
RPS
R1
CB0
CB1
XTAL
CK
价值
@ 315 MHz的
10 pF的
15 pF的
82 pF的
47 nH的
33 nH的
10 pF的
18 pF的
220 pF的
39 PF / 220 pF的
NIP
0
Ω
220 nF的
330 pF的
公差
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±20%
±10%
描述
阻抗匹配电容
阻抗匹配电容
阻抗匹配电容
阻抗匹配电感器
输出电感坦克
XOSC FSK电容（ ΔF =
±20
千赫） ，注意事项1
XOSC ASK电容，微调至f
C
注意1
XOSC电容（ ΔF =
±20
千赫） ，注意事项1，只需要FSK
电容控制时钟电压摆幅（ CKDIV 0 / 1 ）
电源选择电阻，见数据表部分4.6和4.7
ASK跳线（仅适用于ASK ） ，见数据表第4.7节
去耦电容器
去耦电容器
基本模式晶体，
C
L
= 12 pF的，C
0 ，最大值
= 7 pF的，R
1
= 60
Ω
投资回报率耦合电容，只需要
外部参考频率输入
9.84375兆赫
±30ppm
CAL 。 ，
±30ppm
温度。
1 nF的
±10%
注1 ：
取决于晶体参数，其他
∆f
值可以与其它CX1 ， CX2的值被选择
NIP - 不到位，可以任选地使用
39012 72006 01
修订版004
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EVB说明
Dec/07
MELEXIS [ Melexis Microelectronic Systems ]
