EVB72035
868 / 915MHz的FSK / ASK发送器
评估板说明
2.2 FSK调制
FSK调制可以通过拉动来实现
晶体振荡器的频率。一个CMOS-
兼容的数据流施加在销
FSKDTA数字通过调制XOSC
集成NMOS开关。两个外部上拉
电容CX1和CX2允许偏差FSK
化
Δf
和中心频率f
c
要进行寻址
独立justed 。在FSKDTA = 0， CX2是
并联连接到CX1导致低
FSK的频谱的频率分量
(f
民
） ;而在FSKDTA = 1， CX2被停用
和XOSC被置于其高频率f
最大
.
外部参考信号可以直接AC-
耦合到参考振荡器输入引脚
投资回报率。然后发射机使用未经
水晶。现在参考信号设定CAR-
垒次数也可以含有将FSK （或
调频）调制。
图。 2 ：
拉晶电路
投资回报率
VCC
XTAL
FSKSW
CX2
CX1
VEE
FSKDTA
0
1
描述
f
民
= f
c
-
Δf
（ FSK的开关是闭合的）
f
最大
= f
c
+
Δf
（ FSK的开关是打开的）
2.3拉晶
晶体是由制造商对调谐
要求振荡频率f
0
在给定的负载
电容CL和指定的校准范围内
化能力。拉振荡的唯一途径
化频率是变化的有效负载钙
pacitance CL
EFF
看到的晶体。
图3示出了振荡频率
晶体作为有效负载的函数钙
pacitance 。该电容的变化accor-
跳舞FSKDTA周围的逻辑电平
指定的负载电容。图中illus-
trates外部之间的关系
拉电容与频率偏差。
它也可以看出，牵引灵敏度
增加了与CL的减少。因此，
以高频率偏差的应用程序
需要一个低的负载电容。对于窄
频带的FSK应用中，较高的负载电容
tance可以以减小被选择
造成的容差频率漂移
芯片和外拉电容。
f
XTAL
L1
f
最大
C1
R1
C0
CL
EFF
f
c
f
民
CX1 CRO
CX1+CRO
CL
（ CX1 + CX2 ） CRO
CX1+CX2+CRO
CL
EFF
图。 3 ：
拉晶特征
对于ASK应用CX2可以省略。然后CX1必须调整为中心频率。
39012 72035 01
修订版007
第14页4
EVB说明
June/07
MELEXIS [ Melexis Microelectronic Systems ]
