EVB72036
868 / 915MHz的FSK / ASK发送器
评估板说明
3 50
Ω
接口板电路原理图
图。 6 ：
50电路图
Ω
匹配网络
3.1
板元件值
SIZE
0805
0805
0805
0805
0805
0805
0805
0805
0805
0805
0805
1206
0805
SMD
6x3.5
0805
部分
CM1
CM2
CM3
LM
LT
CX1
_FSK
CX1
_ASK
CX2
CCK
RPS
R1
CB0
CB1
XTAL
CK
Y
R
A
IN
IM
L
E
R
P
值@
868.3兆赫
1.8 pF的
5.6 pF的
68 pF的
12 nH的
22 pF的
27 pF的
12pF
值@
915兆赫
2.2 pF的
5.6 pF的
68 pF的
10 nH的
22 pF的
27 pF的
容
ANCE
±5%
±5%
±5%
±5%
描述
阻抗匹配电容
阻抗匹配电容
阻抗匹配电感器
输出电感坦克
阻抗匹配电容ř
15 nH的
10 nH的
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
XOSC FSK电容（ ΔF =
±20
千赫） ，注意事项1
XOSC ASK电容，微调至f
C
注意1
XOSC电容（ ΔF =
±20
千赫） ，注意事项1，只适用于FSK
电容控制时钟电压摆幅（ CKDIV 0 / 1 ）
电源选择电阻，见数据表第4.6节
ASK跳线（仅适用于ASK ） ，见数据表第一节。 4.7
去耦电容器
去耦电容器
基本模式晶体，
C
L
= 12 pF的，C
0 ，最大值
= 7 pF的，R
1
= 40
Ω
12 pF的
±5%
15 PF / 180 pF的
NIP
0
Ω
220 nF的
330 pF的
27.13438 MHz的
28.59375 MHz的
±30ppm
卡利。 ，
±30ppm
温度
1 nF的
±20%
±10%
±10%
投资回报率耦合电容，只需要
外部参考频率输入
注1 ：
取决于晶体参数，其他
∆f
值可以与其它CX1 ， CX2的值被选择
NIP - 不到位，可以任选地使用
3901272036 01
修订版002
第12页第7
EVB说明
June/07
MELEXIS [ Melexis Microelectronic Systems ]
