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MG120V2YS40产品参数
型号:MG120V2YS40
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:TOSHIBA CORP
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数:7
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.23
其他特性:HIGH SPEED
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):120 A
集电极-发射极最大电压:1700 V
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间(tf):1500 ns
门极发射器阈值电压最大值:8 V
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X7
元件数量:2
端子数量:7
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:1200 W
最大功率耗散 (Abs):1200 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:MOTOR CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):400 ns
标称接通时间 (ton):100 ns
VCEsat-Max:4.5 V
Base Number Matches:1
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