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  • MG50Q6ES50(S50A)图
  • 深圳市特顺芯科技有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • MG50Q6ES50(S50A)
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  • 上海意淼电子科技有限公司

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  • MG50Q6ES50(S50A)
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  • 厂家TOSHIBA型号(6单元 1200V) IGBT 
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MG50Q6ES50A产品参数
型号:MG50Q6ES50A
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:TOSHIBA CORP
零件包装代码:MODULE
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17
针数:17
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.82
Is Samacsys:N
其他特性:HIGH SPEED
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):50 A
集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间(tf):300 ns
门极发射器阈值电压最大值:6 V
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X17
元件数量:6
端子数量:17
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:350 W
最大功率耗散 (Abs):350 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
晶体管应用:MOTOR CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):600 ns
标称接通时间 (ton):150 ns
VCEsat-Max:3.6 V
Base Number Matches:1
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