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  • MGFC36V6472A-51图
  • 深圳市芯达科技有限公司

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  • MGFC36V6472A-51
  • 数量1680 
  • 厂家MITSUBI 
  • 封装SMD 
  • 批号2018+ 
  • 一级代理原装进口现货
  • QQ:2685694974QQ:2593109009
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  • MGFC36V6472A04图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • MGFC36V6472A04
  • 数量18800 
  • 厂家三菱 
  • 封装TO-59.高频管 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
  • QQ:43871025
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  • MGFC36V6472A图
  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • MGFC36V6472A
  • 数量98500 
  • 厂家MITSUBISHI 
  • 封装原厂封装 
  • 批号22+ 
  • 真实库存全新原装正品!代理此型号
  • QQ:2881495751
  • 0755-82574049 QQ:2881495751
  • MGFC36V6472A图
  • 大源实业科技有限公司

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  • MGFC36V6472A
  • 数量2600 
  • 厂家INTERSIL 
  • 封装SOP 
  • 批号19+ 
  • 原装正品 公司部分现货 量大可订货
  • QQ:420357315QQ:1613168227
  • 0755-84861817 QQ:420357315QQ:1613168227
配单直通车
MGFC36V6472A产品参数
型号:MGFC36V6472A
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:MITSUBISHI ELECTRIC CORP
包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数:2
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.84
Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:SOURCE
配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:10 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):3.8 A
最大漏极电流 (ID):1.2 A
FET 技术:JUNCTION
最高频带:C BAND
JESD-30 代码:R-CDFM-F2
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:25 W
最小功率增益 (Gp):8 dB
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches:1
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