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MIC38C42BN 参数 Datasheet PDF下载

MIC38C42BN图片预览
型号: MIC38C42BN
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内容描述: BiCMOS电流模式PWM控制器 [BiCMOS Current-Mode PWM Controllers]
分类和应用: 控制器
文件页数/大小: 11 页 / 345 K
品牌: MICREL [ MICREL SEMICONDUCTOR ]
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MIC38C42/3/4/5
麦克雷尔INC 。
当设计高频转换器,避免电容
和电感的开关波形耦合到高
阻抗电路,如误差放大器器,振荡器和
电流检测放大器呃。避免过长的印刷电路迹线和
元器件引线。找到振荡器和补偿电路
在IC附近。在使用高频去耦电容
V
REF
,并在必要时对V
DD
。高回报
的di / dt
电流
直接把他们的来源和使用大面积接地层。
降压转换器
参阅科幻gure 1.当至少26V施加到输入端,
C5是通过R2充电,直到电压V
DD
较大
超过14.5V (在MIC38C42的欠压闭锁值) 。
当Q1由栅极导通输出开关开始
驱动变压器T1,充电输出滤波器电容C3
通过L1 。 D5提供稳定的+ 12V至V
DD
一旦
电路运行。
电流感应变压器CT1提供电流反馈
ISNS为电流模式操作和逐周期的电流
限制。这更是英法fi cient比一个高功率检测电阻
并提供所需的接地参考电平移位。
当Q1关断时,电流溢流继续从地面通过
D1和L1直到Q1再次导通。
100V的肖特基二极管D1降低正向电压降
在主电流通路,从而导致更高的英法fi效率比
可以使用超快恢复二极管来实现。
R1和C2抑制从D1寄生振荡。
使用高值电感L1和低ESR电容
器为C3允许小电容与最小输出
纹波。该电感值也提高了电路EF网络效率
通过减少在L1中的通量摆动。
磁性元件都经过精心挑选的损失降到最低
频率为500kHz 。 CT1和T 1被缠绕在磁公司的P
型材料环形。 L1被卷绕在西门子N49 EFD公司
核心内容。
应用信息
假定熟悉384X转换器设计。
该MIC38C4x已被设计为与之兼容
384xA系列控制器。
MIC38C4x优势
启动电流
启动电流已降至超低50μA (典型
CAL )使高价值,低功率,启动电阻
(在电源启动时功率控制器)。减少
电阻瓦特数降低了成本和印刷电路的空间。
工作电流
工作电流已经降低至4mA相比
11毫安对于典型的双极型控制器。该控制器运行
冷却器和V
DD
过程中需要保持电容的
启动可降低。
输出驱动器
互补的内部P和N沟道MOSFET亲
领袖轨到轨输出电压为更好的驾驶性能
外部功率MOSFET。驱动器晶体管的低导通
性和高的峰值电流能力可以驱动门
大于1000pF的电容。输出的值
电容,它可以驱动仅由所确定的
上升/下降时间的要求。在输出的限制
容量和控制器的功耗,最大开关
频率接近500kHz的。
设计注意事项
当附近的20V工作时,电路瞬变很容易超过
在20V绝对最大额定值,永久损坏
控制器的CMOS结构。为了减少瞬变,使用
一个0.1μF的低ESR电容旁边的控制器的供应
V
DD
(或V
D
为“-1”版本)和接地连接。电影
型电容器,如威马MKS2 ,被推荐使用。
V
IN
26V至40V
CT1
Q1
IRF820
D4
1N765B
V
OUT
12V , 2A
R1
10
1/2W
C2
1000pF
L1 48μH
31DQ10
D1
C3
3.3µF
C4
0.1µF
R2
68k
0.1µF*
MKS2
D2
M17Z105
1/4W
C5
4.7µF
4.7Ω
6.8k
0.22µF
0.1µF
100k
1
2
3
MIC38C42
D3
MBR030
COM P V R ê ˚F
FB
ISNS
VDD
OU牛逼
8
7
6
5
D5
T1
C8
0.1µF
1N4001
6.19k
1%
1.62k
1%
R4
18
4
RT / CT GND
C7
200pF
R5
16k
0.1µF
*找到附近MIC38C42电源引脚
图1为500kHz , 25W ,降压转换器
2007年9月
7
M9999-091107