MIC5255
麦克雷尔
空载稳定性
该MIC5255将保持稳定，并在第空载
不像其他许多稳压器。这是特别
重要的CMOS RAM保持应用程序。
散热注意事项
该MIC5255的目的是提供连续150毫安
电流在一个非常小的封装。最大功率耗散
可以基于所述输出电流和电压计算
在零件掉落。来确定最大功率
封装的散热，使用结点到环境的热敏
该装置与下面的基本公式的发作性：
T（最大）
−
T
A
P
D
（最大）
=
J
θ
JA
T
J
（max）是模具的最大结温，
125 ℃，而T
A
是环境工作温度。
θ
JA
is
布局依赖性;表1示出结点到的实例
为MIC5255环境的热阻。
包
SOT-23-5
（ M5或D5 ）
θ
JA
推荐
最小的足迹
235°C/W
θ
JA
1"广场
铜包
185°C/W
θ
JC
145°C/W
应用信息
开启/关闭
该MIC5255带有一个高电平有效使能引脚
使稳压器被禁用。强制的使能引脚为低电平
禁用调节器，并将其发送到一个“零”离模态振
当前状态。在这种状态下，电流消耗的调节器
变为几乎为零。强制的使能引脚高电平启动
输出电压。这部分是CMOS的使能引脚不能
被悬空;浮动的使能引脚可导致indetermi-
内特状态的输出。
输入电容
该MIC5255是一种高性能，高带宽设备。
因此，它需要一个良好的旁路输入电源以优化
发作表现。 1μF电容从输入所需
接地，以提供稳定性。低ESR陶瓷电容器
在最小的空间内提供最佳的性能。额外
tional高频电容器，例如小值NPO
介电型电容器，帮助滤除高频噪声
并在任何基于RF电路很好的做法。
输出电容
该MIC5255需要一个输出电容即可稳定工作。该
设计需要1μF或更大的输出来维持
稳定。该设计使用低ESR的应用进行了优化
陶瓷片状电容器。高ESR电容会引起
高频振荡。最大建议
ESR为300MΩ 。输出电容可以增加，但
性能进行了优化的1μF陶瓷输出
电容器，并且不与较大显著改善
电容。
X7R / X5R电介质型陶瓷电容recom-
由于其温度性能修补。 X7R-
型电容器15％的电容变化对他们能操作
级温度范围，而且是最稳定型
陶瓷电容。 Z5U和Y5V介质电容器的变化
值高达50％和60 ％，分别在其
操作温度范围内。使用陶瓷芯片电容器
器与Y5V介质，该值必须比要高得多
X7R陶瓷电容器，以保证在相同的最小电容
tance在同等工作温度范围。
旁路电容
电容器可放置在噪声旁路引脚来
地面，以减少输出电压噪声。该电容器逐
通过内部参考。一个0.01μF的电容是中建议
谁料适用于要求低噪声输出的应用。该
旁路电容可以增加，从而进一步降低噪音
并提高PSRR 。开启时间的增加略有
对于旁路电容。独特的快速启动电路
允许MIC5255驱动一个大电容上的旁通
无脚的导通时间显著放缓。参阅
“典型特征”
部分，用于与differ-性能
耳鼻喉科旁路电容。
ACTIVE SHUTDOWN
该MIC5255还具有主动关闭钳，其中
是N沟道MOSFET，导通时，该设备是
禁用。这使得输出电容和负载以显示
充，断电的负荷。
2004年8月，
9
表1. SOT- 23-5热阻
调节器电路的实际功耗可
使用下式确定：
P
D
= (V
IN
– V
OUT
) I
OUT
+ V
IN
I
GND
代P
D
（最大值）用于P
D
并求解操作
这是至关重要的应用条件将得到
最大运行条件为稳压电路。为
例如，使用操作MIC5255-3.0BM5在50℃时
最小足迹布局，最大输入电压为一
设定输出电流可以如下确定：
125
°
C
−
50
°
C
P
D
（最大）
=
235
°
C / W
P
D
（最大值） = 315MW
对于最小的结点至环境热阻
足迹是235 ℃/ W，从表1中的最大功率
功耗不得超过正常工作。运用
3.0V的输出电压和150mA电流的输出电流，
最大输入电压可被确定。因为这
设备是CMOS和接地电流为100μA典型
在负载范围内时，功率耗散所贡献
接地电流是< 1％ ，可以忽略该计算：
315MW = （V
IN
- 3.0V ） 150毫安
315MW = V
IN
×
150毫安 - 为450mW
810mW = V
IN
×
150mA
V
IN
（最大值） = 5.4V
因此， 150mA时为3.0V的应用程序的输出电流可
接受5.4V的最大输入电压采用SOT- 23-5
封装。对于散热和热的充分讨论
上电压调节器的影响，请参考
“稳压器散热”
麦瑞半导体的设计与低压差稳压部分
lators手册。
M0385-080204
MICREL [ MICREL SEMICONDUCTOR ]
