MIC5236
1N4148
200k
V
IN
5V
V
ERR
V
OUT
C
OUT
麦克雷尔INC 。
通常是75 ° C / W 。
θ
CA
被减小，因为销5
到8 ，现在可以直接焊接到接地平面
这显着降低的情况下，到沉的热阻
并下沉到环境的热阻。
从麦瑞半导体低压差线性稳压器的额定一
125 ° C的最高结温。重要的是不要
超过工作期间，该最高结温
该装置。为了防止这种情况的最大结温
被超过，则适当地平面的散热器
必须使用。
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
0.25 0.50 0.75 1.00 1.25 1.50
功耗（ W）
200k
MIC5236
IN
OUT
EN
4.7µF
ERR
GND
关闭
启用
热特性
该MIC5236是一个高输入电压装置，用来
提供的连续输出电流150mA的两个非常小的
廓包。电源采用SOIC- 8和电源MSOP- 8 AL-
低设备消散约50 ％的功率比
标准等同。
电源SOIC - 8热特性
其中MIC5236的性能的秘密是它的动力
SO- 8封装为特色的一半的热阻
标准的SO- 8封装。更低的热阻装置
更多的输出电流或更高的输入电压为给定的封装
年龄的大小。
更低的热阻是通过将4取得
接地导线与芯片粘接桨创建一个单
拼凑的电和热的导体。这个概念有
被用于通过MOSFET制造商多年来，证明
非常可靠的和成本有效的用户。
热电阻包括两个主要元件，
θ
JC
（ junc-
化到外壳热阻）和
θ
CA
（外壳到环境
热阻） 。见图5 。
θ
JC
是由电阻
模具到封装的引线。
θ
CA
是电阻
从引线到环境空气中，它包括
θ
CS
（病例
到散热器的热阻）和
θ
SA
（下沉到环境的热
阻力位）。
图6.铜面积与功率-SOIC
功耗
(∆T
JA
)
图6显示了铜的面积和功耗的关系与
对应于不同的温度上升，每个跟踪
高于环境。
从这些曲线中，铜的最小区域所必需的
可以被确定为安全操作的一部分。最大
允许温升必须被计算，以确定
操作沿曲线。
ΔT = T
J（下最大）
– T
A（最大值）
T
J（下最大）
= 125°C
T
A（最大值）
•最高环境工作温度
例如，在最高环境温度为50℃ ，
的ΔT被确定如下：
ΔT = 125°C - 50℃
ΔT= 75℃
使用图6中，所需要的铜的最低量可以
根据所需要的功率消耗来确定。动力
耗散在一个线性调节器的计算方法如下：
P
D
= (V
IN
– V
OUT
) I
OUT
+ V
IN
· I
GND
如果我们使用一个3V输出装置和一个28V的输入适中
为25mA的输出电流，那么我们的功耗为
如下所示：
P
D
= (28V – 3V)
×
25毫安+ 28V
×
250µA
P
D
= 625mW + 7MW
P
D
= 632mW
从图6中，需要对铜的最小量
运行该应用程序在75 ℃， ΔT为25mm
2
.
快速方法
确定用于设计的功耗要求
随着最大环境温度下的
装置进行操作。参阅图7，其示出了安全
操作曲线的三种不同的环境温度：
10
2005年7月
SOP-8
q
JA
q
JC
q
CA
环境
地平面
散热区
印刷电路板
图5.热电阻
使用电源SOIC - 8降低
θ
JC
急剧
允许用户以减少
θ
CA
。的总热阻，
θ
JA
（结至环境热阻）是限制
因子中计算最大功率耗散capabil-
性的装置的。典型地，功率SOIC- 8具有
θ
JC
of
20℃/ W，这是比标准SOIC-8显着降低
MIC5236
铜面积（毫米
2
)
40°C
50°C
55°C
65°C
75°C
85°C
100°C
图4.远程带短路启用
电流折返
MICREL [ MICREL SEMICONDUCTOR ]
