2N7000
电气特性
符号
开关特性
BV
DSS
Δ
BV
DSS
/
Δ
T
J
I
DSS
I
GSS
( T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
漏极 - 源极漏电流
门源泄漏，正向
栅源泄漏，反向
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250uA
I
D
= 250uA ，参考25 ℃下
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
GS
= -20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
GS
= 10 V，I
D
= 500毫安
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 75毫安
民
60
-
-
典型值
-
48
-
最大
-
-
1
1000
100
单位
V
毫伏/°C的
uA
nA
nA
-
-
-100
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
1.0
-
-
-
1.55
1.9
2.5
5
5.3
V
Ω
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
GS
=0 V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
-
-
-
20
11
3
25
14
4
pF
动态特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极电荷（米勒电荷）
V
DS
=30V, V
GS
= 4.5V ，我
D
=200mA
（注2,3 ）
-
V
DD
= 30V ，我
D
= 200毫安，R
G
=50Ω
V
GS
= 10 V
（注2,3 ）
4
2.5
17
7
0.5
0.15
0.2
18
15
44
24
0.65
-
-
nC
ns
-
-
-
-
-
-
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
V
SD
参数
最大连续二极管正向电流
二极管的正向电压
测试条件
I
S
=的200mA， V
GS
=0V
（注2 ）
分钟。
-
-
典型值。
-
-
马克斯。
200
1.2
单元。
mA
V
※
笔记
1. Repeativity评价：脉冲宽度有限的结温
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300US ，占空比
≤
2%
3.基本上是独立的工作温度。
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MICREL [ MICREL SEMICONDUCTOR ]
