微
电子
2SD1616A
NPN
硅
晶体管
描述
2SD1616A是NPN硅平面
晶体管设计用于驱动使用，
AF放大器的输出级，一般
工业用途。
4.68
(0.18)
4.6
(0.18)
0.51
(0.02)
TO-92B
3.58
B CE
(0.14)
10
0.4
(0.016)
12.7
(0.5)
分钟。
2.54
(0.1)
底部视图
单位：mm （英寸）
0.45
(0.018)
绝对最大额定值
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
总功率耗散@ TA = 25
o
C
操作&存储结温
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
,T
英镑
60V
120V
6V
1A
0.65W
-55到+150
o
C
电气特性（ TA = 25
o
C)
符号
I
CBO
I
EBO
H
FE *
H
FE *
V
BE *
V
CE （SAT） *
V
BE （SAT） *
C
ob
输出电容
f
T
增益带宽积
开启时间
t
on
t
英镑
贮存时间
t
f
下降时间
*脉冲试验PW
≦
350ìs ，占空比
≦
2%.
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
基射极电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
民
最大
100
100
350
700
0.5
1.2
典型值。
典型值。
典型值。
典型值。
单位
条件
nA的V
CB
= 60V我
E
=0
nA的V
EB
=6V
I
C
=0
V
CE
=2V
I
C
=100mA
V
CE
=2V
I
C
=1A
毫伏V
CE
=2V
I
C
=50mA
V
I
C
=1A
I
B
=50mA
V
I
C
=1A
I
B
=50mA
pF的V
CB
= 10V我
E
=0
I
C
=100mA
兆赫V
CE
=2V
µs
VCC = 10V我
C
=100mA
µs
I
B1
=-I
B2
=10mA
µs
V
BE （OFF）的
= -2〜 3V
170
45
600
19
100
0.07
0.95
0.07
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