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    BC239 参数 Datasheet PDF下载

    BC239图片预览
    型号： BC239
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅平面外延型晶体管 [NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 6 页 / 72 K
    品牌： MICRO-ELECTRONICS [ Micro Electronics ]
     浏览型号BC239的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BC239的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BC239的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BC239的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BC239的Datasheet PDF文件第6页  
    BC107/BC108
    热数据
    R
    吨HJ -CA SE
    R
    吨hj- AMB
    热阻结案件
    热阻结到环境
    最大
    最大
    200
    500
    o
    o
    C / W
    C / W
    电气特性
    (T
    例
    = 25
    o
    C除非另有说明）
    SYMB OL
    I
    CBO
    参数
    集电极截止
    电流（I
    E
    = 0)
    测试电导率银行足球比赛s
    为
    BC107
    V
    CB
    = 40 V
    V
    CB
    = 40 V
    为
    BC108
    V
    CB
    = 20 V
    V
    CB
    = 20 V
    I
    C
    = 10
    µA
    为
    BC107
    为
    BC108
    I
    C
    = 10毫安
    为
    BC107
    为
    BC108
    I
    E
    = 10
    µA
    为
    BC107
    为
    BC108
    I
    C
    = 10毫安
    I
    C
    = 100毫安
    I
    C
    = 10毫安
    I
    C
    = 100毫安
    I
    C
    = 2毫安
    I
    C
    = 10毫安
    I
    C
    = 2毫安
    为
    BC107
    为
    BC107
    为
    BC107
    为
    BC108
    为
    BC108
    为
    BC108
    为
    BC108
    I
    C
    = 10
    µA
    为
    BC107
    为
    BC107
    为
    BC107
    为
    BC108
    为
    BC108
    为
    BC108
    为
    BC108
    I
    B
    - 0.5毫安
    I
    B
    = 5毫安
    I
    B
    - 0.5毫安
    I
    B
    = 5毫安
    V
    CE
    = 5 V
    V
    CE
    = 5 V
    V
    CE
    = 5 V
    克。一
    克。 B
    克。一
    克。 B
    克。 ç
    V
    CE
    = 5 V
    克。一
    克。 B
    克。一
    克。 B
    克。 ç
    110
    110
    200
    110
    110
    200
    420
    120
    90
    150
    120
    90
    150
    270
    250
    190
    300
    370
    190
    300
    500
    2
    450
    220
    450
    800
    220
    450
    800
    550
    分钟。
    典型值。
    马克斯。
    15
    15
    15
    15
    50
    30
    45
    20
    6
    5
    70
    200
    750
    950
    650
    700
    700
    770
    250
    600
    取消它
    nA
    µA
    µA
    µA
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    mV
    mV
    mV
    mV
    mV
    mV
    T
    CA性S E
    = 150 C
    o
    o
    T
    CA性S E
    = 150 C
    V
    （ BR ） CBO
    集电极 - 基
    击穿电压
    （IE = 0）
    V
    （ BR ） CEO
    ∗
    集电极 - 发射极
    击穿电压
    (I
    B
    = 0)
    V
    （ BR ） EBO
    发射极 - 基
    击穿电压
    (I
    C
    = 0)
    集电极 - 发射极
    饱和电压
    基射
    饱和电压
    基射0：N
    电压
    直流电流摹泉
    V
    CE （SAT）
    ∗
    V
    BE （S AT）
    ∗
    V
    BE（上）
    ∗
    h
    FE
    ∗
    40
    40
    100
    h
    fe
    ∗
    小信号电流
    收益
    I
    C
    = 2毫安
    V
    CE
    = 5 V
    F = 1kHz时
    为
    BC107
    为
    BC107
    克。一
    为
    BC107
    克。 B
    为
    BC108
    为
    BC108
    克。一
    为
    BC108
    克。 B
    为
    BC108
    克。 ç
    I
    C
    = 10毫安V
    CE
    = 10 V F = 100 MHz的
    ∗
    脉冲：脉冲宽度= 300
    µs,
    占空比
    ≤
    1 %
    2/6

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