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US4881图片预览
型号: US4881
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内容描述: CMOS低电压高灵敏度锁存 [CMOS Low Voltage High Sensitivity Latch]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 120 K
品牌: MICRO-ELECTRONICS [ Micro Electronics ]
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US4881
CMOS低电压高灵敏度锁存
初步数据表
特点和优点
斩波稳定放大器级
优化BDC电机的应用
新的微型封装/超薄,高可靠性封装
操作降到2.2V
CMOS的最佳稳定性,质量和成本
我低
DD
当前
应用
固态开关
无刷直流电机换向
速度传感
订购信息
产品型号
US4881
US4881
温度后缀
温度范围
E
SO或UA
-40到85
o
C扩展
L
SO或UA
-40至150
o
C汽车
联系厂家或销售代表遗留下的代码的选项
y
r
a
in
im
l
e
r
P
工作原理图
描述
在US4881是双极霍尔效应传感器集成电路FAB-
从混合信号CMOS技术ricated 。它
采用了先进的斩波稳定技
niques提供准确而稳定的磁
开关点。有许多应用
这HED除了上面列出的那些。该
设计规格和性能已经
在电刷换向应用进行了优化
直流电机和汽车速度传感。
输出晶体管将在(B锁存
OP
)在
的足够的存在š
仲南极
磁场面向封装的侧面明显
年龄。类似地,输出将被锁存关(乙
RP
)
在北字段的存在。
SO封装
引脚1 - V
D D
2脚 - 输出
引脚3 - GND
V
DD
产量
电压
调节器
断路器
GND
UA封装
引脚1 - V
D D
引脚2 - GND
引脚3 - 输出
采用SOT- 23装置从UA逆转
封装。采用SOT -23输出晶体管会
锁存(B
OP
)中的一个足够的存在
强北磁极的磁场进行了
显着的脸。
注意:
静电敏感器件;请遵守ESD预防措施。重 -
诗V
DD
保护不被包括在内。对于反向电压PROTEC -
化,串联V一个100Ω的电阻
DD
值得推荐。
US4881 CMOS低电压高灵敏度锁存
3901004881版本1.5
24/July/01
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