ML2036
功能说明
（续）
晶体必须具有以下特征：
1.并联谐振型
2.频率： 3MHz的为12.4MHz
为15W在3最大等效串联电阻
开车1μW的水平200μW ，而30W的驱动电平
10nW到1μW
4.典型负载电容： 18pF之
5.最大情况下的电容： 7pF的
振荡的频率将是一个函数
晶体参数和印刷电路板的电容。该晶体
满足这些要求，在12.352000MHz是M- tron的
3709-010 12.352为0°C至70°C和3709-020 12.352
为-40ºC至85ºC操作。
所述ML2036具有可用于在两个时钟输出
驱动其他外部设备。在CLK OUT 1输出为
从振荡器输出缓冲由2分
CLK OUT 2输出与振荡器缓冲输出
除以8 。
串行数字接口
数字接口由一个移位寄存器和数据的
锁存器。在SID串行16位数据字移入一个
在串行移位时钟的上升沿的16位的移位寄存器，
SCK 。 LSB的应转向以网络第一个和最后一个MSB为
在图4中已被移位到该数据显示
移位寄存器被加载到16位上的下落数据锁存
LATI的边缘。以保证被装载到该真实数据
从移位寄存器的数据锁存器， LATI下降沿应
发生时SCK为低电平，如图1 LATI应
低，而将数据移入移位寄存器，以避免
不经意间进入省电模式。注意，所有的
数据被输入并锁存的边缘，而不是水平的，
SCK和LATI 。
在ML2036模拟电路从V供电
CC
to
V
SS
并参考AGND 。在数字电路
设备是从V供电
CC
到DGND 。这是
建议AGND和DGND连接
一起靠近器件，并具有良好的连接
回电源。
因此建议将电源与该装置
应通过放置去耦电容旁路
V
CC
到AGND和V
SS
以AGND为身体靠近
装置成为可能。
有效抑制和省电模式
所述ML2036具有禁止模式和断电
这是由三电平P控制模式
DN
• INH
输入如表1所述。如果一个逻辑"1" ， （Ⅴ
I3
）被施加
到P
DN
-INH针，掉电模式通过进入
输入全零的移位寄存器以及将逻辑
"1"来拉提并保持高。零数据检测电路
检测时，在移位寄存器中的所有位均为零。在这
状态时，电源消耗减少到11.5mW最大值，
和V
OUT
进到0V ，如图6和显示为
10千瓦至AGND 。 CLK IN可以留活性或除去
在掉电模式。此外， ML2036可以
通过施加一个逻辑放置在电源关断模式的“0 ”
到P
DN
-INH销，不论移位的内容
注册和LATI的状态。
如果V
SS
到V
SS
+ 0.5V (V
I2
）被施加到P
DN
-INH针，
在禁止模式是由全零移位到输入
移位寄存器以及将逻辑“1”到LATI销。
一旦禁止模式进入V
OUT
将完成
正弦波，然后后半周在举行
大约V
OS
，使得不加电压的步骤发生时，如
在图6中示出。
电源
8
MICRO-LINEAR [ MICRO LINEAR CORPORATION ]
