ML2330
绝对最大额定值
电源电压（V
CC
) ................................................ 6.0V
GND ............................................... -0.3 V到V
CC
+ 0.3V
逻辑输入.................................... -0.3V到V
CC
+ 0.3V
每针............................................ ± 25毫安输入电流
存储温度................................ -65℃ 〜150℃
在T封装散热
A
= 25°C ........................ 750MW
引线温度（焊接10秒）
SOIC ................................................. ................... 150℃
工作条件
电源电压（V
CC
)
ML2330ES - 2 ............................................... 3V ± 10％的
ML2330ES - 3 ............................................ 3.3V ± 10 ％
ML2330ES - 5 ............................................... 5V ±10 ％
温度范围
ML2330ES ............................................. -20℃至70℃
ML2330IS .............................................. -40 ° C至85°C
电气特性
除非另有规定，T
A
= T
民
给T
最大
, V
CC
=工作电源电压范围，女
CLK
= 10MHz时ř
L
= 1k�½,
(R
L
= 2千瓦的V
CC
= 5V ） ，C
L
= 100pF的（注1 ）
参数
变流器
决议
积分非线性误差
微分线性误差
偏移误差
ILE
DLE
V
CC
= 3.3V或3.0V
ê后缀
我的后缀
V
CC
= 5V
ê后缀
我的后缀
增益误差
模拟输出
输出驱动电流
电源抑制比
数字直流
逻辑输入低
逻辑输入高
V
IL
V
IH
V
CC
= 3V ， 3.3V ， 5V或
V
CC
= 3V或3.3V
V
CC
= 5V
逻辑输入低电平电流
逻辑输入高电流
逻辑输出低
逻辑输出高
电源电流
掉电电流
I
IL
I
IH
V
OL
V
OH
I
CC
V
IN
= GND
V
IN
= V
CC
I = 3.2毫安
I = 0.4毫安
R
L
=
在所有数字输入
静态0V或V
CC
V
CC
= 3V
V
CC
= 5V
2.4
2.5
3.5
3
5
2.0
2.8
–1
1
0.4
0.8
V
V
V
µA
µA
V
V
mA
µA
µA
I
OUTpp
PSRR
满量程输出
@ 00 & FF
40
2
mA
dB
10
5
15
10
20
20
25
25
8
±1.5
±1
30
35
35
40
±5
位
最低位
最低位
mV
mV
mV
mV
％ FS
符号
条件
民
典型值
最大
单位
AC性能
建立时间
压摆率
相声
注1 ：
限制由100 ％的测试，取样或相关性最差情况测试条件guaratneed 。
t
S
-1/2 LSB
5
1.4
60
10
µs
V / μs的
dB
3
MICRO-LINEAR [ MICRO LINEAR CORPORATION ]
