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ML4851ES-3 参数 Datasheet PDF下载

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型号: ML4851ES-3
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内容描述: 低电流,电压升压稳压器 [Low Current, Voltage Boost Regulator]
分类和应用: 稳压器
文件页数/大小: 9 页 / 289 K
品牌: MICRO-LINEAR [ MICRO LINEAR CORPORATION ]
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ML4851
功能说明
该ML4851结合了脉冲频率调制( PFM )
和同步整流以创建一个升压转换器
既高效和简单易用。一个PFM
监管收费单电感器固定期限
一次,再用另一个周期之前完全放电
开始时,由于不再需要为了简化设计
常规限流电路。同步
精馏是通过更换外部完成
肖特基二极管与一个片上PMOS器件,降低了
开关损耗和外部元件数量。
稳压器工作
升压转换器的框图如图
2.电路空闲时, V
OUT
等于或高于所述
期望的输出电压,从V绘图50μA
IN
和8μA
从V
OUT
通过反馈电阻R1和R2 。
当V
OUT
下降到低于所需的输出电平,则
放大器A1的输出变为高电平,信号调节器
传递电荷​​的输出。自的输出
放大器A2通常是高电平,触发器捕获
A1设定信号,并在所述NMOS的栅极产生一个脉冲
晶体管Q1 。 NMOS晶体管将收取
电感器L1为5μs的,从而导致通过给定的峰值电流:
设计注意事项
感应器
选择合适的电感器为一个特定的应用程序
通常涉及效率之间的折衷
最大输出电流。选择一个值过高会
保持调节器从提供所需输出
最坏情况下的电流。选择太低
值会导致效率受损。有必要知道
所需的最大输出电流和输入
电压范围内选择适当的电感值。该
最大电感值可以利用估算
下式:
L
最大
V
IN (MIN) 2
×
t
ON(MIN )
×
η
=
2
×
V
OUT
×
I
输出( MAX)的
(2)
哪里
h
是效率,通常介于0.8和0.9之间。
注意,这是电感的值,该值刚好
提供在最坏的情况下所要求的输出电流
条件。可能需要一个较低的值覆盖
电感容差,低电感峰值的影响
引起的电阻损耗电流和最小死
脉冲之间的时间。
确定合适的电感器的另一方法
值是使基于典型的估计
在图4和图5所示。图4中给出的性能曲线
示出了最大的输出电流作为输入的函数
电压数电感值。这些都是典型的
性能曲线,不留余量电感
和导通​​时间的变化。为了适应最坏情况
的条件下,有必要通过在需要降低这些曲线
除了电感公差至少10%。
例如,一个2细胞至5V应用需要60毫安
输出电流,而使用电感器,用15%
耐受性。输出电流应该由25%降额到
80毫安覆盖合成电感和接通时间
公差。假设2V是生命电压的结束
一个2个单元格输入,图4表明,与2V输入,则
ML4851-5提供80毫安与18μH电感。
图5示出了用于条件下效率
创建图4,可以看出,效率是主要
与输入电压无关,并密切相关
电感值。这说明了需要保持
电感值尽可能的高,以达到高峰系统
效率。由于电感值下降至10μH的
效率下降到75%左右。随着33μH的
效率超过90%,有一点余地
改进。在值大于33μH ,操作
同步整流器的变得不可靠,在低
输入电压由于电感电流是如此之小
这是困难的控制电路来检测。该
数据用来产生图4和图5被提供在表
1.
I
L( PEAK)
=
t
ON
×
V
IN
5
µ
s
×
V
IN
=
L1
L1
(1)
为可靠的操作中,L1 ,应选择这样我
L(峰)
不超过1A 。
当单触发超时,则NMOS晶体管
释放V
L
引脚,允许电感飞回来,
暂时通过的体二极管的输出进行充电
PMOS晶体管Q2 。但是,作为对面的PMOS上的电压
晶体管极性的变化,它的大门将被驱动为低电平
电流检测放大器A2 ,导致Q2短路其
体二极管。电感然后排入负载
通过Q2。 A2的输出还用于重置倒装
翻牌一次性在准备下一次充电
周期。 A2的释放Q2的栅极上时,它的电流下降到
零。如果V
OUT
仍然偏低,触发器将立即
启动另一个脉冲。输出电容器(C1)过滤
电感器的电流,从而限制输出电压纹波。感应器
电流和单触发波形示于图3 。
RESET
比较
一个额外的比较器,以检测低V
IN
,
或任何其它的错误条件是很重要的给用户。
比较器的反相输入端在内部
连接到V
REF
,而所述非反相输入端是
在侦测引脚提供的外部。的输出
比较器的
RESET
销,其摆幅从V
OUT
to
GND时检测到错误。 (参见框图)
数据表
2000年7月
5