ML4890
电感的直流电阻应保持在一个
最低以减少损失。一个好的经验法则是
允许电阻为每5至为10mΩ
µH
电感。
此外，要知道，一个电感的直流电阻
通常没有被指定紧密，所以用一个电感器
150mΩ最大直流电阻规格实际上可能
有阻力100mΩ的。
合适的电感器可从下购买
供应商：
Coilcraft公司
COILTRONICS
戴尔
墨田区
升压电容
升压电容器（C2）提供电流给负载
在Q1的导通时间，并会限制波纹的
LDO阶段都有与之抗衡。 C2上的纹波
受三个电容参数：容量，
ESL及ESR 。由于电容的贡献可
通过查看在电容器中的变化来确定
所需的电压来存储由所传递的能量
电感器在一个单一的充电 - 放电循环，如由下式给出
下式：
(708) 639-6400
(407) 241-7876
(605) 665-9301
(708) 956-0666
例如，一个2.4V输入，一个22μH电感器，以及一个
纹波100mV的对升压电容津贴
结果在200mΩ的最大ESR 。因此，升压
电容22μF或33μF ，一个ESR的电容
小于在200mΩ ，和小于5nH的一个ESL是一个好
的选择。钽电容，满足这些
要求，可以从以下获得
供应商：
AVX
斯普拉格
输出电容
LDO的输出级电容器（C1）都需要
稳定性，并提供一种高频滤波器。输出
电容器的电容100μF的，少的ESR比
为100mΩ ，和小于5nH的一个ESL是一个很好的通用
目的选择。
输入电容
除非输入源是一个非常低的阻抗的电池，它
有必要去耦输入与电容器
用47μF和100μF之间的值。这提供
防止输入纹波从影响带来的好处
ML4890的控制电路，并且它也改善了效率
由充电过程中减少I平方 - [R损耗和
放电所述电感器的周期。再次，具有低ESR的
电容器（如钽）的建议。
参考电容
在某些情况下输入纹波不能
有效地减少。这主要发生在应用程序中
其中，电感电流高，导致产量过剩
纹波因“群脉冲”，其中的电荷
放电脉冲不能均匀分布的时间。在这样的
情况下，可能有必要去耦基准销
(V
REF
）用小的10nF至100nF的陶瓷电容。这
尤其是这样，如果在V的电压纹波
IN
较大
超过100mV的。
(207) 282-5111
(207) 324-4140
T
ON
×
V
IN
C2
≥
（法拉）
2
×
L
× ∆
V
BOOST
×
(V
OUT
– V
IN
)
2
2
(3)
例如，一个2.4V输入， 5V输出，一个22μH电感
和纹波为100mV对提振津贴
电容导致15μF的最小C2的值。
自举电容的等效串联电阻（ ESR ）
和等效串联电感（ ESL ） ，也有助于
由于电感器的脉动放电电流波形。
NMOS晶体管关断只是之后，输出电流
坡道快速匹配电感峰值电流。这
通过自举电容的ESL在当前快速变化
导致高的频率（为5ns ）尖峰可以超过1V的
震级。后在ESL穗沉降，升压电压
仍具有脉动分量等于电感
放电电流乘以ESR 。此组件将有
一个锯齿波形，并且可以使用计算
下式：
ESR
≤
∆
V
BOOST
（以
Ω
)
I
L（ PEAK）
(4)
8
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