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PIC12F635-I/SN 参数 Datasheet PDF下载

PIC12F635-I/SN图片预览
型号: PIC12F635-I/SN
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内容描述: 8月14日引脚,基于闪存的8位CMOS微控制器采用纳瓦技术 [8/14-Pin, Flash-Based 8-Bit CMOS Microcontrollers with nanoWatt Technology]
分类和应用: 闪存微控制器和处理器外围集成电路光电二极管PC时钟
文件页数/大小: 234 页 / 3856 K
品牌: MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
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PIC12F635/PIC16F636/639
20引脚图
SSOP
V
DD
RA5/T1CKI/OSC1/CLKIN
RA4/T1G/OSC2/CLKOUT
RA3/MCLR/V
PP
RC5
RC4/C2OUT
RC3/LFDATA/RSSI/CCLK/SDIO
V
DDT
(3)
LCZ
LCY
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
SS
RA0/C1IN+/ICSPDAT/ULPWU
RA1/C1IN-/V
REF
/ ICSPCLK
RA2/TOCKI/INT/C1OUT
RC0/C2IN+
RC1/C2IN-/CS
RC2/SCLK/ALERT
V
SST
(4)
LCCOM
LCX
表4:
I / O
RA0
RA1
RA2
RA3
RA4
RA5
RC0
RC1
RC2
RC3
RC4
RC5
注1 :
2:
3:
4:
(1)
20 -PIN摘要
模拟前端
警报
LFDATA / RSSI
LCX
LCY
LCZ
LCCOM
比较
C1IN+
C1IN-
C1OUT
C2IN+
C2IN-
C2OUT
定时器
T0CKI
T1G
T1CKI
中断
国际奥林匹克委员会
国际奥林匹克委员会
INT / IOC
国际奥林匹克委员会
国际奥林匹克委员会
国际奥林匹克委员会
引体向上
Y
Y
Y
Y
(2)
Y
Y
BASIC
ICSPDAT / ULPWU
V
REF
/ ICSPCLK
MCLR / V
PP
OSC2/CLKOUT
OSC1/CLKIN
CS
SCLK
CCLK / SDIO
V
DDT
(3)
V
SST
(4)
V
DD
V
SS
19
18
17
4
3
2
16
15
14
7
6
5
8
13
11
10
9
12
1
20
只能输入。
只有当引脚配置为外部MCLR 。
V
DDT
是模拟前端部分的供电电压(仅限PIC16F639 ) 。 V
DDT
被处理为V
DD
in
本文件,除非另有说明。
V
SST
是模拟前端部分的接地参考电压(仅限PIC16F639 ) 。 V
SST
处理
为V
SS
本文件中,除非另有说明。
PIC16F639
DS41232D第6页
©
2007 Microchip的技术公司