OCXOVT
HC- MOS输出
5 V电源
频率稳定度
OVER ：
工作温度范围：
长期时效第一年：
10岁：
电源电压
±
0.2 V
负载
±10%:
见注1
＆ LT ;
±
0.7 PPM
*
＆ LT ;
±
4.0 PPM
*
＆ LT ;
±
为0.1ppm
*
＆ LT ;
±
0.01 ppm的
VCC = 5 V
±
0.2 V
*
< 70毫安@ 30 ℃，
*
< 110毫安@ -20℃
*
恒温晶体振荡器
高稳定性
最高40 MHz
注1
TEMP 。范围*
稳定性*
OCXOVT - AR1 ， AV5
0至+ 60°C
±
0.075 ppm的
（ 0.15ppm的峰到峰）
OCXOVT - BR1 ， BV5
-20 〜+ 70℃
±
0.15 ppm的
（ 0.3ppm的峰到峰）
OCXOVT - CR1 ， CV5
-40至+85 ºC
±
0.25 ppm的
（ 0.5ppm的峰到峰）
电源
电源输入：
输入电流：
输入电流：
TEMP 。范围*
稳定性*
TEMP 。范围*
稳定性*
频率控制范围
控制电压：
频率偏差：
响应斜率：
见注2
＆ GT ;
±
4 ppm的
*
积极
注2
OCXOVT - AR1 ， BR1 ， CR1
调整
与电阻器
（连接到地）
输入阻抗
调整
随着电压
输入阻抗
0至10千
Ω
> -4.7 ķ
Ω
OCXOVT - AV5 ， BV5 ， CV5
0.5至5伏
> 47 ķ
Ω
产量
输出信号：
对称性：
上升和下降时间：
平“0”和“1”：
扇出（ LOAD ） ：
HC- MOS兼容
40 （分钟） / 60 （最大）
％@ VCC / 2
*
TR < 7ns的TF < 7纳秒
*
< 0.4 V的Vcc > -0.5 V
10 LS
环境
操作TEMP 。范围：
储存温度。范围：
振动：
冲击：
包装：
封装高度：
-40至+85 ºC
-65至+125°C
10到2000赫兹/ 10克
2000 g, 0.3 ms, �½ sine
DIL 14日， 4个引脚， GND到外壳
8 mm
（见包装信息）
标记示例
OCXOVT-BV5
20.000兆赫
TYPE
频率
（引脚1）
SPEC号
日期代码
件号
01.25
12
热身
ΔF/F:
当前位置：
在30年代@ 0 ℃，后规范*
< 250毫安时10秒
订购信息示例
摄氏度×○
振荡器型
OCXO
=压控
晶体振荡器
振荡器版本
V
=低电源电压5V
T
=紧密公差
温度范围
A
= 0至+ 60 ℃; +/- 0.075ppm
B
= -20至+ 70 ° C： +/- 0.15ppm
C
= -40〜+ 85°C ; +/- 0.25ppm
X
=自定义的规范。
V T，
-
B V 5
20兆赫
xxx
杂项
短期稳定性：
相位噪声（BW =赫兹） ：
（典型的，在@ 10MHz的静态
条件）
< 5 E-10 0.1秒至30秒
典型的5 E- 11 @ 1秒
1赫兹： - 70 dBc的/赫兹
10赫兹-100 dBc的/赫兹
100赫兹： -130 dBc的/赫兹
1千赫： -140 dBc的/赫兹
的N°
客户
规格。
振荡器输出
频率
频率调整
R1
=外部电阻器
V5
= 5V电压
Y
=自定义的规范。
*
对客户要求的规格
标准频率（MHz ）
10.0000
40.0000
12.8000
16.0000
16.3840
19.4400
20.0000
发布日期：
2003年6月
按照我们的不断发展和完善的政策，
我们保留随时修改设计或产品的规格，恕不另行通知。
总部：
微晶
DIV 。 ETA SA的
Mühlestrasse 14
CH- 2540格伦岑
瑞士
版本号： 7
第1/2页
电话：
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