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MDT10F683 参数 Datasheet PDF下载

MDT10F683图片预览
型号: MDT10F683
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内容描述: 8位MCU , 8位单片机,完位兼容PIC12F683 [8-BIT MCU,8位单片机,完位兼容PIC12F683]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 129 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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MDT10F683
基于闪存的
8
引脚
8
�½�
CMOS
单片机
完全与
PIC12F683
兼容.程式与硬件电路不用�½�任�½�
改动.
IC
资源
闪存(字)
2048,
SRAM(字节:
128,
EEPROM(字节):
256,
I/O:
6, 10
�½�
AD
�½�换器(通道数)
4
比较器:
1定时器8/16�½�: 2/1
高性�½的RISC
CPU
仅需学习35 条指令:
-
除跳�½�指令外的所有指令�½是单周期的
工�½�速度:
-
振荡器/ 时钟的输入频率为DC
20 MHz
-
指令周期为DC
200 ns
中断功�½
8
级深硬件堆栈
直接、间接和相对寻址模式
单片机特性
高精度内部振荡器:
-
出厂时精度校准为±1%
-
可用�½�件选择的频率范围为31
kHz
到8
MHz
-
双速启动
-
适用于关键应用的晶振故障检测
-
在节�½模式下工�½�时进行时钟模式切换
节�½的休眠模式
�½工�½�电压范围。(2.0V-5.5V)
工业级和扩展级温度范围
上电复�½�(Power-on
Reset
POR)
上电延时定时器(Power-up
Timer, PWRT)和
振荡器起振定时器(Oscillator
Start-up Timer
OST)
与上拉/ 输入引脚复用的主复�½�功�½
可编程代码保护
高耐用性闪存/EEPROM 单元:
-
闪存可经受10
万次写操�½�
- EEPROM
可经受100 万次写操�½�
-
闪存/ 数据EEPROM 数据保存时间:>40
�½�功耗特性
待机电流:
-
�½�电压为2.0V
时,典型值为1
nA
工�½�电流:
PDF
文件�½�用
"pdfFactory"
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