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HAL576SF-E 参数 Datasheet PDF下载

HAL576SF-E图片预览
型号: HAL576SF-E
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内容描述: 双线霍尔效应传感器系列 [Two-Wire Hall-Effect Sensor Family]
分类和应用: 传感器
文件页数/大小: 36 页 / 1722 K
品牌: MICRONAS [ MICRONAS ]
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数据表
HAL57x , HAL58x
2.功能描述
HAL57x , HAL58x
该HAL57x , HAL58x两线制传感器是单片
集成电路,其响应切换到mag-
NETIC领域。如果变化磁场的磁通线perpendic-
ular的敏感区域施加到传感器,所述
偏置霍尔板强制霍尔电压正比于
此字段。霍尔电压与实际相比
在比较器的阈值电平。的温度 -
相关的偏见增加的电源电压
霍尔板和调整开关指向
在较高的温度降低感应磁铁
作上。
如果磁场超过阈值电平,则
电流源切换到相应的状态。在
低电流消耗的状态中,电流源
被关断,电流消耗引起
仅由电流通过霍尔传感器。在高
消耗电流状态时,电流源是
接通和电流消耗是由
电流通过霍尔传感器和电流
源。内置的迟滞消除振荡
并提供输出信号的切换行为
不反弹。
磁偏移引起的机械应力的COM
通过使用“切换偏移补偿补偿的用于
化技术“ 。一个内部振荡器提供两
相位时钟。在每个阶段中,电流被强行
通过霍尔板在不同的方向,并且
霍尔电压的测量。在两者的端
阶段,霍尔电压的平均值,并从而
偏移电压被消除。平均值
是与固定切换点相比较。之后,又
吸收的敷料,消耗电流切换到它对应
应的状态。时间从过去的数量
穿越磁开关电平切换
电流大小可以为零和1 /之间变化
FOSC
.
分流保护元件的钳位电压峰值处
V
DD
与外部串联电阻-pin在一起。
反向电流在V被限制
DD
-pin由一个跨
最终串联电阻高达
−15
五,无需外部保护
二极管需要反向电压范围从0V
to
−15
V.
V
DD
1
反向
电压&
过压
保护
温度
依赖的
BIAS
迟滞
控制
霍尔板
开关
比较
当前
来源
时钟
GND
2, x
X = 3脚为TO92UA - 1 / -2包
X = 4脚为SOT89B - 1包
图。 2-1 :
HAL57x , HAL58x框图
FOSC
t
B
B关闭
B上的
t
国际直拨电话
IDDhigh
IDDlow
t
国际直拨电话
1/f
OSC
=
6.9
μs
t
f
t
图。 2-2 :
时序图(例如: HAL581 )
MICRONAS
2008年12月22日; DSH000145_003EN
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