256MB，512MB ， 1GB，2GB ： 3V嵌入式并行NOR闪存
特点
并行NOR闪存的嵌入式存储器
JS28F256M29EWxx ， PC28F256M29EWxx ， RC28F256M29EWxx
JS28F512M29EWxx ， PC28F512M29EWxx ， RC28F512M29EWxx
JS28F00AM29EWxx ， PC28F00AM29EWxx ， RC28F00AM29EWxx
PC28F00BM29EWxx ， RC28F00BM29EWxx
特点
• = 2Gb的堆叠设备（两条1GB模）
•电源电压
– V
CC
= 2.7-3.6V （编程，擦除，读）
– V
CCQ
= 1.65-3.6V （ I / O缓冲区）
•异步随机/页读
- 页面大小： 16个字或32个字节
- 页面访问： 25ns的
- 随机访问： 100纳秒（加固BGA ） ;
110ns的（ TSOP ）
•缓冲区方案： 512字程序缓冲区
•程序时间
- 在使用全每字节0.88μs （ 1.14 MB / s）的TYP
在缓冲区方案512字的缓冲区大小
•存储结构
- 统一块： 128 KB或64 K字每
•编程/擦除控制器
- 嵌入式字节/字的程序算法
•编程/擦除挂起和恢复能力
- 程序中读取来自任何块可持
PEND操作
- 读取或擦除过程中设置另一个块
停业
• BLANK CHECK操作来验证一个擦除块
•解锁绕道，块擦除，芯片擦除和写入
缓冲能力
- 快速缓冲/批处理编程
- 快速的块/片擦除
• V
PP
/ WP ＃引脚保护
- 保护第一个或最后一个块而不管块
保护设置
•软件保护
- 挥发性保护
- 非易失性保护
•密码保护
- 访问密码
•扩展的内存块
- 128字（ 256字节）为永久的，安全块
鉴定
- 编程或锁定在工厂或由
客户
•低功耗：待机模式
• JESD47H兼容
- 每块至少100,000次擦写周期
- 数据保存：20年（ TYP ）
• 65nm的多级单元（ MLC）的工艺技术
•强化BGA和TSOP封装
•绿色封装
•符合RoHS标准
=无卤
•工作温度
- 环境温度： -40°C至+ 85°C
PDF ： 09005aef849b4b09
m29ew_256mb_2gb.pdf - 版本B 8/12 EN
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